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公开(公告)号：CN106062929B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201580009762.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 将进行过机械加工的SiC基板(40)在SiC气氛下进行加热处理而对该SiC基板(40)进行蚀刻之际，通过调整SiC基板(40)的周围的惰性气体压力来控制蚀刻速度。由此，在SiC基板(40)存在潜伤等的情况下，能够除去该潜伤等。因此，即使进行外延生长和热处理等，SiC基板(40)的表面也不会粗糙不平，所以能够制造高品质的SiC基板。
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公开(公告)号：CN108140574A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058070.X
申请日：2016-10-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 加热处理容器(1)具备支撑部件(6)，该支撑部件(6)在蚀刻处理对象物即圆板状的SiC基板(2)时支撑该SiC基板(2)。支撑部件(6)具有用以支撑SiC基板(2)的下面的端缘(2E)的倾斜面(6F)，该倾斜面(6F)以随着越朝下方越靠近SiC基板(2)的中心线的方式倾斜。更具体地说，支撑部件(6)被形成为随着越朝下方而直径变得越大的圆锥状，且其圆周面即圆锥面构成所述倾斜面(6F)。此倾斜面(6F)的上下中途部接触于SiC基板(2)的下面的端缘(2E)。
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公开(公告)号：CN107002288A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: C30B33/12 , C30B29/36 , H01L21/302
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN103282557A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062368.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02598 , H01L29/1608
Abstract: 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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公开(公告)号：CN112585724B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201980054946.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , H01L21/302
Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104797747B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201380059807.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B33/08 , C30B33/12 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并能准确地把握蚀刻量的表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理进行蚀刻单晶SiC基板的处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。
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公开(公告)号：CN107004585A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062667.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平坦，其中该碳化硅基板(40)在表面具有注入了离子的离子注入区域(46)，且在至少包含该离子注入区域(46)的部分形成有沟槽(41)。
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公开(公告)号：CN103282557B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180062368.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02598 , H01L29/1608
Abstract: 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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公开(公告)号：CN106029960A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009773.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。
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公开(公告)号：CN103270201B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180062376.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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