公开(公告)号：CN103698944A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310159712.3

申请日：2007-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明为半导体设备。当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。

公开(公告)号：CN101419946B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810175034.9

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史 ,  千叶阳子

IPC: G02F1/13 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的目的之一在于通过缩减曝光掩模数使光刻工序简化，以低成本且高生产率制造具有可靠性的显示装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的显示装置的制造方法中，使用掩模层进行蚀刻工序，该掩模层使用用作透过的光具有多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成。进而，在衬底上以彼此相同的工序形成栅极布线层和源极布线层，且在栅极布线层和源极布线层的交叉部以源极布线层为分割(切断)的形状。被分割的源极布线层在开口(接触孔)中隔着导电层彼此电连接。该导电层通过与源电极层及漏电极层相同的工序在栅极绝缘层上形成。

公开(公告)号：CN101551559B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200910128358.1

申请日：2009-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227

Abstract: 在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。

公开(公告)号：CN102683421A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210127293.0

申请日：2006-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的课题在于降低接触不良，抑制接触电阻的增大，并且提高开口率。本发明涉及一种液晶显示器件，其具有：衬底；设置在上述衬底上且具有栅极布线、栅极绝缘膜、岛状半导体膜、源极区域、以及漏极区域的薄膜晶体管；设置在上述衬底上且连接到上述源极区域的源极布线；设置在上述衬底上且连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖着上述薄膜晶体管及上述源极布线而形成的保护膜，其中，上述保护膜具有开口部分，并且上述辅助电容存在于形成有开口部分的区域。

公开(公告)号：CN101452176A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810186986.0

申请日：2008-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。

公开(公告)号：CN101419987A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175027.9

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明是“半导体装置以及其制造方法”。在本发明中，通过使用第一多级灰度光掩模的曝光形成第一抗蚀剂图案，然后对第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层及第二半导体层进行蚀刻，来形成岛状单层及岛状叠层。在此，在岛状单层及岛状叠层的侧面形成侧壁。再者，通过使用第二多级灰度光掩模的曝光形成第二抗蚀剂图案，然后对第二导电层及第二半导体层进行蚀刻，来形成薄膜晶体管、像素电极、及连接端子。之后，通过以第一导电层和第二导电层的金属层为掩模的从背面的曝光形成第三抗蚀剂掩模，然后对第三绝缘层进行蚀刻，来形成保护绝缘层。

公开(公告)号：CN101013707A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710007396.2

申请日：2007-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13452 ,  G02F2001/13456

Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示器件，该显示器件将在有源矩阵衬底上形成引导布线而导致的衬底上的边框部分的扩大抑制为最低限度，来实现窄边框化。在本发明之一的显示器件中，在相对配置的一对衬底中至少具有像素部分的有源矩阵衬底的端部处形成倒角部分，并且通过形成在倒角部分中的公共布线电连接有源矩阵衬底上的布线(源极线、栅极线、存储电容线、引出线等)。

公开(公告)号：CN1992294A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172474.X

申请日：2006-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明的课题在于降低接触不良，抑制接触电阻的增大，并且提高开口率。本发明涉及一种液晶显示器件，其具有：衬底；设置在上述衬底上且具有栅极布线、栅极绝缘膜、岛状半导体膜、源极区域、以及漏极区域的薄膜晶体管；设置在上述衬底上且连接到上述源极区域的源极布线；设置在上述衬底上且连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖着上述薄膜晶体管及上述源极布线而形成的保护膜，其中，上述保护膜具有开口部分，并且上述辅助电容存在于形成有开口部分的区域。

公开(公告)号：CN1975546A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163964.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133351 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/133342 ,  G02F2001/133354 ,  G02F2001/133557 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明的目的是实现薄、低功耗、制造时能提高产量且能双面显示的显示器，这种显示器可用于像手机这种便携信息终端设备。包括第一基板1a和第二基板1b的液晶显示器具有透射型有源矩阵第一液晶显示器3001和反射型有源矩阵第二液晶显示器3002，其中第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的对置区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的TFT区域。

公开(公告)号：CN1913155A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610110957.7

申请日：2006-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133604 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/13452 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明的目的在于通过不增加新的步骤而形成遮光膜，以提供一种可见度高的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件具有在有源矩阵衬底和相对衬底之间封入液晶的结构。在所述有源矩阵衬底上形成有由多个TFT、布线、以及第一电极(像素电极)等构成的像素部分等，并且在所述相对衬底上形成有第二电极(相对电极)以及着色膜等。本发明的液晶显示器件还具有这样的结构，即将形成TFT的电极和布线等的导电膜的一部分用作像素部分中的遮光膜，所述TFT的电极和布线等形成在有源矩阵衬底上。