公开(公告)号：CN1181230C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN00126012.X

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: C30B35/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/2026

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。

公开(公告)号：CN1426088A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02156040.4

申请日：2002-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。

公开(公告)号：CN1400628A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02131506.X

申请日：2002-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78684

Abstract: 一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜(5)其rms小于10nm，P－V值小于70nm，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是0.1－10原子％的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而形成。在采用促进结晶的金属元素进行结晶的情况下，获得了晶体取向率以及平整度高的半导体膜。

公开(公告)号：CN1311534A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN00135261.X

申请日：2000-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎律子 ,  笠原健司 ,  大谷久

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/78645 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是,借助于制作结晶半导体膜,同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸,将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区,而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜,而不用金属或热导高的绝缘膜,作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差,以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

公开(公告)号：CN100508140C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200610005816.9

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。

公开(公告)号：CN1333446C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410086941.8

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/2026

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。

公开(公告)号：CN1909196A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610099648.4

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  B23K26/00 ,  G02F1/35

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。

公开(公告)号：CN1737996A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510099847.0

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过照射YVO4激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶；构图结晶的半导体薄膜，以形成岛状半导体。或者，可以通过照射YVO4激光器的具有线性形状的二次谐波使半导体薄膜结晶。也可以先构图半导体薄膜以形成岛状半导体，然后照射YVO4激光器的二次谐波，以使岛状半导体薄膜结晶。在这里，YVO4激光器的二次谐波的照射面的形状具有等于或大于10的纵横比。或者，在衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成半导体薄膜，通过照射YVO4激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶，构图结晶的半导体薄膜以形成岛状半导体薄膜，其中绝缘膜含有至少一种选自氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的材料。

公开(公告)号：CN1217417C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN00135261.X

申请日：2000-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎律子 ,  笠原健司 ,  大谷久

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/78645 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

公开(公告)号：CN1213464C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01133100.3

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在绝缘表面上形成半导体薄膜；通过用YVO4激光器的谐波照射使半导体薄膜结晶；使结晶的半导体薄膜构图以形成结晶的岛状半导体薄膜；以及在结晶的岛状半导体薄膜中形成薄膜晶体管的至少一个沟道区域。