公开(公告)号：CN1638094A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410101934.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  神野洋平

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  G06K19/0704 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07703 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  G06K19/07758 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07781 ,  G06K19/07783 ,  H01L23/49855 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

Abstract: 随着非接触式和接触式IC芯片日益普遍，必须以低成本批量生产出应用于对人、动植物、商品、钞票等的巨大数量的IC芯片。譬如，制造用于商品、钞票等物的IC芯片的成本应为每IC芯片1到几日元，1日元以下则更好，人们期盼实现以低成本批量生产的IC芯片的一种结构和IC芯片的一种制作工艺。根据本发明，制作薄膜集成电路器件的方法包括以下步骤：在热氧化的硅衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间刻槽；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。