公开(公告)号：CN113167821A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077052.X

申请日：2019-11-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松崎隆德 ,  高桥圭 ,  石津贵彦 ,  冈本佑树 ,  伊藤港

IPC: G01R19/165 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  G01R31/36 ,  H02J7/00 ,  G01R31/50

Abstract: 提供一种能够检测出二次电池的微短路的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器、晶体管、电容器及比较器。半导体装置被供应二次电池的负极电位及正极电位，第一源极跟随器被输入第一电位，第二源极跟随器被输入第二电位。晶体管的栅极被输入控制晶体管的导通状态的信号，进行与二次电池的正极‑负极间的电位关联的第一源极跟随器的输出电位的采样。比较器通过对比被采样电位和第二源极跟随器的输出电位，也可以应对充放电引起正极和负极间的电位的变动的二次电池。

公开(公告)号：CN112313792A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980040236.9

申请日：2019-06-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石津贵彦 ,  斋藤利彦 ,  鱼地秀贵 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种新颖的存储装置。本发明的一个方式是包括多个存储单元的存储装置，一个存储单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管的源极及漏极中的一个通过节点SN电连接到第二晶体管的栅极。通过第一晶体管写入的信息保持在节点SN中。通过使用OS晶体管作为第一晶体管，不需要形成保持电容器。通过在存储单元外侧设置低相对介电常数区域，可以降低来自外部的噪声，实现稳定工作。

公开(公告)号：CN111418053A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077463.4

申请日：2018-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大贯达也 ,  松崎隆德 ,  热海知昭 ,  石津贵彦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供一种新颖的半导体装置。根据工作温度调节具有栅极和背栅极的晶体管的背栅电压。利用温度检测电路测取工作温度。温度检测电路将温度信息以数字信号输出。该数字信号被输入到电压控制电路。电压控制电路输出对应于该数字信号的第一电压。背栅电压由对基准电压加上第一电压的电压决定。

公开(公告)号：CN109643572A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052545.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石津贵彦 ,  长塚修平

IPC: G11C11/405 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/065 ,  G11C7/14 ,  G11C7/227 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4099 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/24 ,  G11C16/28 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 存储装置包括存储单元、复制单元、读出电路、写入字线、读出字线、伪读出字线、写入位线、读出位线、参考位线、源极线、第一布线。存储单元电连接于写入字线、读出字线、写入位线、读出位线、源极线。读出电路输出基于对参考位线的电位与读出位线的电位进行比较的结果的电位。复制单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管在该位线与源极线之间串联电连接。第一晶体管的栅极及第二晶体管的栅极分别与伪读出字线及第一布线电连接。