半导体器件及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101064320A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200710102484.0

    申请日:2007-04-27

    CPC classification number: H01L21/76264 H01L27/1214

    Abstract: 提供了一种半导体器件,它包括位于绝缘表面上的半导体层以及位于该半导体层上的绝缘层。该半导体层包括至少两个元件区域以及一个元件隔离区域。该元件隔离区域被设置在这两个元件区域之间。元件隔离区域包括选自氧、氮和碳中的至少一种杂质元素。与上述两个元件区域之一中所包括的第一源极和漏极区域以及上述两个元件区域中的另一个元件区域中所包括的第二源极和漏极区域相比,元件隔离区域具有更高的阻抗。

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