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公开(公告)号：CN101369401A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810168724.1
申请日：2004-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/32 , G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3266 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/04 , G09G2320/0223 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。
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公开(公告)号：CN100350623C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02142069.6
申请日：2002-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种用于提高从发光元件中阴极注入电子的能力并解决其制作过程中有关问题的装置。在本发明中，采用比阴极材料具有较小逸出功的材料来形成阴极与有机化合物层之间的无机导电层。以此方式，可以提高从阴极注入电子的能力。另外，其薄膜可以比采用绝缘材料形成的传统阴极缓冲层的薄膜更厚。因此，可以容易地控制膜厚，并且可以实现制作成本的降低和生产率的提高。
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公开(公告)号：CN1871711A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031537.9
申请日：2004-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H05B33/10 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。
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公开(公告)号：CN105070715B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510507640.6
申请日：2010-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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公开(公告)号：CN102598247B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080049798.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/00 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/786 , H03K19/20
CPC classification number: H01L27/10802 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/0922 , H01L27/105 , H01L27/1156 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10-13A。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794612A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410074885.X
申请日：2010-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1207 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体装置，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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公开(公告)号：CN102598247A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049798.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/00 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/786 , H03K19/20
CPC classification number: H01L27/10802 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/0922 , H01L27/105 , H01L27/1156 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10-13A。
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公开(公告)号：CN1875663B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200480032038.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L23/564 , H01L27/1222 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种防止水和/或氧从外部侵入以及防止由于这些侵入物质而导致发光元件退化的显示设备，以及提供一种包括生产这种显示设备的简单制造步骤的制造方法。本发明提供一种显示设备，该显示设备具有在暴露的层间绝缘体边缘处的密封材料，该密封材料用于防止水和/或氧从该层间绝缘体侵入。进一步地，本发明提供一种显示设备，其具有在暴露的层间绝缘体上的隔层体，该隔层体用于防止水和/或氧从该层间绝缘体侵入。此外，在用于生产显示设备的生产步骤中应用液滴排出技术能够免除光刻步骤，如曝光和显影。这样，提供一种生产具有改进产量的显示设备的方法。
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公开(公告)号：CN100482355C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480017043.5
申请日：2004-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B05C5/00
CPC classification number: B05B5/053 , B05B5/025 , B05B12/12 , B05C5/0212 , B05C5/0279
Abstract: 本发明能够使由液滴吐出法吐出的液滴的命中精度大幅度提高，在基板上直接形成微细且高精度的图案，以提供可应对基板的大型化的布线、导电层及显示装置的制作方法作为课题，并且，以提供使生产能力和材料的利用率提高的布线、导电层及显示装置的制作方法为课题。本发明的特征在于：主要在具有绝缘表面的基板上用液滴吐出法将抗蚀剂材料或布线材料直接进行图案形成时，可以使液滴命中精度大幅度提高。具体而言，就是在即将用液滴吐出法吐出液滴之前，按照所要的图案，在基板表面上的液滴命中位置扫描带电粒子束，之后，立即使带有与该带电粒子束相反符号的电荷的液滴吐出，使液滴命中位置的控制性能格外提高。
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公开(公告)号：CN1875488A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031814.6
申请日：2004-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/3205 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L33/08 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/24421 , H01L2924/00
Abstract: 采用能够选择性地形成图案的方法，形成构成引线或电极的导电层、以及诸如用于形成预定图案的掩膜等制造显示面板所需的图案中的至少一个或多个，以制造液晶显示设备。能够通过依照具体的对象选择性地排放合成物的微滴来形成预定图案的微滴排放法在形成导电层、绝缘层等时用作能够选择性地形成图案的方法。
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