公开(公告)号：CN100559182C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200480024753.0

申请日：2004-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内山兼一 ,  大宫可容子 ,  岸本功 ,  平田雅己 ,  江藤英雄 ,  东野一郎 ,  植松育生 ,  葛西晋吾 ,  高濑智裕 ,  本庄勉 ,  杉谷政则

IPC: G01N33/543 ,  C12M1/00 ,  G01N33/535

CPC classification number: G01N33/54373 ,  Y10S435/808 ,  Y10S436/805

Abstract: 本发明提供了一种测定待测物质浓度的方法，其可在很短的时间内测定非常少量的测试样品中待测物质的浓度，即使当用于测定的测试样品的量非常少时，也可对该待测物质的浓度进行准确测定。对待测物质浓度进行测定的方法采用传感器芯片，所述传感器芯片具有一个光波导层，以及设置于所述光波导层表面上的抗体固定化层，该方法包括将待测物质和用标记酶标记的酶标抗体固定于传感器芯片的具有固定化抗体的抗体固定化层上，通过使显色试剂与抗体固定化层上的标记酶反应产生显色的酶反应产物，并将所述酶反应产物沉积在抗体固定化层上，使从外面照射到传感器芯片上的光在光波导层与抗体固定化层之间的界面处被全反射，并观察全反射光的物理量。

公开(公告)号：CN101451995A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810176057.1

申请日：2008-11-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 葛西晋吾 ,  植松育生 ,  东野一郎 ,  高濑智裕 ,  绳田功 ,  大宫可容子 ,  小山由利子 ,  本庄勉

IPC: G01N33/543 ,  G01N21/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以更少的被测定样品量、在更短的时间内、定量测定被测定样品的测定对象物质的光波导型传感器。该目的是通过下述手段实现的：一种光波导型传感器，其特征在于，具有在表面上固定化有与测定对象物质特异性反应的第1物质的光波导，和分散于上述光波导表面、且固定化有与上述测定对象物质特异性反应的第2物质的微粒。

公开(公告)号：CN100449313C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410055805.2

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 植松育生 ,  东野一郎 ,  大宫可容子 ,  江藤英雄

IPC: G01N33/48 ,  G01N21/41

CPC classification number: G01N21/7703 ,  G01N21/78

Abstract: 本发明提供能高精度地测定易消失(evanescent)波的变化量的光学式生物传感器。该传感器包含：使入射光在层内一边全反射一边透过的全反射层(10)、与所述全反射层(10)相接，并互相隔开设置的入射侧光栅(11a)和出射侧光栅(11b)、含有与所述全反射层(10)相接地设置于所述入射侧光栅(11a)和出射侧光栅(11b)之间的酶与发色试剂的感测膜(12)。

公开(公告)号：CN109478509B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN201880002785.2

申请日：2018-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村上友佳子 ,  平川雅章 ,  植松育生

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻液是用于氮化硅的蚀刻的蚀刻液，其包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数的酸、硅酸化合物和水。磷酸的质量M1与酸的质量M2之比M1/M2在0.82以上且725以下的范围内。

公开(公告)号：CN110904503B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201910202118.5

申请日：2019-03-18

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 村上友佳子 ,  平川雅章 ,  植松育生

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/10 ,  C23F1/24 ,  C23F1/08 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。一实施方式所涉及的添加剂为用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm2/g。固体状硅材料的表面的至少一部分被氧化。

公开(公告)号：CN108966662B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201780002931.7

申请日：2017-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 植松育生 ,  菊地佑磨 ,  内田健哉

IPC: D01D5/04 ,  D01D11/00 ,  D04H1/728

公开(公告)号：CN112997281A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202080005933.3

申请日：2020-01-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  铠侠股份有限公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 内田健哉 ,  福井博之 ,  植松育生 ,  岩本武明 ,  权垠相

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 根据实施方式，本申请提供一种判定方法。判定方法对在使包含硅及卤素的物质反应或者使包含硅的物质与包含卤素的物质反应的工序中产生的副产物的处理的进行判定。副产物的处理包括使包含水的处理液与副产物接触而得到第一固形物。判定方法包括基于关于第一固形物的Si‑α键(α为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种)及Si‑H键中的至少一者的利用化学分析的信号来判定副产物的处理的进行。

公开(公告)号：CN110857913A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910193622.3

申请日：2019-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村上友佳子 ,  植松育生 ,  平川雅章

IPC: G01N21/3577

Abstract: 本发明提供能够测定溶液中的微量硅浓度的测定器、蚀刻系统、硅浓度测定方法及硅浓度测定程序。根据实施方式，提供一种测定器，其包含输入输出部、存储器和处理器。输入输出部被输入测定值信息，所述测定值信息表示测定对象液的磷酸、第2酸和水的浓度，所述测定对象液包含磷酸、具有比磷酸的第1酸解离指数pKa1小的酸解离指数pK的第2酸和水。存储器保持变动值信息，所述变动值信息包含在基准液中按照成为基准硅浓度的方式添加硅时的磷酸、第2酸和水的浓度变化与基准硅浓度的关系，所述基准液含有磷酸、第2酸和水。处理器基于输入至输入输出部的测定值信息和从存储器读出的变动值信息，得到相当于测定值信息的测定对象液的硅浓度。

公开(公告)号：CN107407028A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680002532.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 徳野阳子 ,  植松育生

IPC: D04H1/74 ,  D04H1/728

Abstract: 实施方式所述的纤维取向片中，所包含的纤维处于密合状态，当将第1方向上的抗拉强度设为F1，将与上述第1方向正交的第2方向上的抗拉强度设为F2时，全部满足以下的(1)～(3)。(1)F2>F1。(2)F1为1MPa以上。(3)F2/F1为2以上。

公开(公告)号：CN103250277B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201280004055.9

申请日：2012-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林隆史 ,  森岛秀明 ,  中畑政臣 ,  森和彦 ,  植松育生

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/139 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/0435 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0433 ,  H01M4/139 ,  H01M4/661 ,  H01M10/04 ,  H01M10/0431 ,  Y10T29/49108

Abstract: 根据实施方式，能够提供一种包括施加张力的工序的电极的制造方法。电极包括:带状集电体;集电体露出部，形成在带状集电体的至少一个长边，在两个面均不存在活性物质含有层;以及活性物质含有层，形成在带状集电体的除了集电体露出部以外的至少一部分。在施加张力的工序中，在具有从圆周面突出的阶梯部以及与阶梯部邻接的凹部的辊上配置成，集电体露出部位于阶梯部，并且活性物质含有层位于凹部，并在带状集电体的长度方向上施加张力。