公开(公告)号：CN1430292A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02160830.X

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  G05F7/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C11/18 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/75 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 提供一种磁开关元件和磁存储器。该磁开关元件具备磁化(M1)实质上已固定的强磁性层，和设置在来自上述强磁性层的磁场所波及的范围内，通过施加电压从常磁状态迁移到强磁状态的磁性半导体层(10)，其特征在于：在给上述磁性半导体层加上电压时，在上述磁性半导体层内形成与上述强磁性层的上述磁化方向对应的磁化(M2)的磁开关元件和采用设置2个磁开关元件的办法，进行对磁阻效应元件的记录层的写入的磁存储器。

公开(公告)号：CN1308317A

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN00135319.5

申请日：2000-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  中岛健太郎 ,  齐藤好昭 ,  砂井正之 ,  岸达也

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/115

Abstract: 本发明提供一种具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二介电层/第三铁磁层/第二反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结的磁电阻元件,作为自由层的第二铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni－Fe合金/Co基合金三层膜组成,在第一至第三铁磁层中流过隧道电流。

公开(公告)号：CN103023501A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210224236.4

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丸亀孝生 ,  棚本哲史 ,  木下敦宽 ,  井口智明 ,  铃木正道 ,  齐藤好昭

IPC: H03M1/12

CPC classification number: H03M1/1061 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/45391 ,  H03F2203/45392 ,  H03F2203/45674 ,  H03K5/2481 ,  H03M1/365

Abstract: 一种模数转换器，包括电压生成单元和多个比较器。电压生成单元通过多个电阻器将从外部施加的基准电压分压以生成多个比较电压。比较器将比较电压与模拟输入电压相比较并基于比较结果而输出数字信号。每个比较器包含检测比较电压和模拟输入电压之间的电势差的差动对电路。差动对电路包含第一电路部分和第二电路部分。第一电路部分包含：栅极被供给一个输入的第一输入晶体管和与第一输入晶体管串联连接的电阻器。第二电路部分包含：栅极被供给另一个输入并与第一输入晶体管形成差动对的第二输入晶体管；和与第二输入晶体管串联连接的可变电阻器。可变电阻器包含串联连接的多个可变电阻元件，每个可变电阻元件具有根据控制信号被可变地设定的电阻值。

公开(公告)号：CN103023500A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210224176.6

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丸亀孝生 ,  棚本哲史 ,  木下敦宽 ,  井口智明 ,  铃木正道 ,  齐藤好昭

IPC: H03M1/12

CPC classification number: H03M1/1061 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H03M1/365

Abstract: 本发明涉及模数转换器。根据一个实施例，模数转换器包括电压生成单元以及多个比较器。电压生成单元被配置来利用多个可变电阻器对基准电压进行分压，以生成多个比较电压。所述多个比较器中的每一个被配置来将所述多个比较电压中的任意一个与模拟输入电压进行比较，以及基于比较电压和模拟输入电压之间的比较结果输出数字信号。所述多个可变电阻器中的每一个包括串联连接的多个可变电阻性元件，并且所述多个可变电阻性元件中的每一个具有根据外部信号可变地设置的电阻值。

公开(公告)号：CN100481518C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510078194.8

申请日：2005-06-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭 ,  杉山英行

IPC: H01L29/82 ,  G11C11/16 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H03K19/173

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  H01L29/66984 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/936

Abstract: 一种自旋晶体管，包括第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个，所述第二方向与所述第一方向反平行。该自旋晶体管还包括沟道区，该沟道区位于第一导电层和第二导电层之间且由半导体构成，并且在第一导电层和第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于沟道区和第一导电层及第二导电层中的二者至少一个之间。

公开(公告)号：CN100476991C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN02148057.5

申请日：2002-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  浅尾吉昭 ,  齐藤好昭 ,  天野実 ,  高桥茂树 ,  岸达也 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76895 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。

公开(公告)号：CN100449814C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200310118331.7

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭 ,  西山胜哉 ,  高桥茂树

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 提供能获得功耗小、热稳定性好的磁致电阻效应元件、磁存储器以及磁头。该磁致电阻效应元件具有：隧道阻挡层；夹着该隧道阻挡层设置在一侧的成为磁化固定层的第一强磁性层；以及磁化自由层，该磁化自由层有：夹着隧道阻挡层设置在另一侧的第二强磁性层；在第二强磁性层的与隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层；以及设置在第二强磁性层和第三强磁性层之间、将第三强磁性层的磁化的反转传递给第二强磁性层的中间层。

公开(公告)号：CN100350498C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03155426.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 甲斐正 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  岸达也 ,  齐藤好昭

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  Y10T428/24917

Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。

公开(公告)号：CN1290117C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03102766.0

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岸達也 ,  天野実 ,  齐藤好昭 ,  高橋茂樹 ,  西山勝哉 ,  浅尾吉昭 ,  與田博明 ,  上田知正 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。

公开(公告)号：CN1841768A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610071020.3

申请日：2006-03-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭 ,  杉山英行 ,  井口智明

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。