公开(公告)号：CN1670859A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510054834.1

申请日：2005-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228

Abstract: 提供一种包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置包括：第一布线；第二布线；存储单元；以及接触栓塞。在层间绝缘膜中形成第一布线。在层间绝缘膜上形成第二布线。存储单元包含在第二布线上形成的第一铁磁性膜、在第一铁磁性膜上形成的隧道阻挡膜、以及在隧道阻挡膜上形成的第二铁磁性膜。在第一布线上形成接触栓塞，它连接第一布线和第二布线，其上表面位于比第二布线高的位置。

公开(公告)号：CN1610001A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410095945.2

申请日：2004-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/16

Abstract: 一种具有磁阻元件的半导体存储器件及其数据写入方法，该半导体存储器件，包括：多个存储单元、第1布线、第1电流驱动电路和第2电流驱动电路。存储单元包括具有第1铁磁性膜、在第1铁磁性膜上形成的绝缘膜，在绝缘膜上形成的第2铁磁性膜的磁阻元件。第1布线与存储单元中包含的磁阻元件靠近且隔离地设置。第1电流驱动电路在写入工作时向第1布线供给第1电流，在磁阻元件周围形成磁场。第2电流驱动电路在写入工作时和读出工作时，通过绝缘膜向第1、第2铁磁性膜之间供给第2电流。

公开(公告)号：CN1542844A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031545.5

申请日：2004-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置，包括：存储单元、侧壁绝缘膜和层间绝缘膜。存储单元具有第一强磁性膜、形成在第一强磁性膜上的隧道阻碍膜和形成在隧道阻碍膜上的第二强磁性膜。至少包围第二强磁性膜的侧面来形成侧壁绝缘膜。覆盖存储单元和侧壁绝缘膜而形成层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1505040A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310118708.9

申请日：2003-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种有改进了的磁回路结构的磁随机存取存储器。该磁随机存取存储器包括：存储数据的磁阻元件(35)；有选择地将磁场施加在磁阻元件上的电流驱动线(72)；以及保持来自电流驱动线的磁场的磁回路(84)。电流驱动线(72)具有与磁阻元件(35)相对的第一面；与第一面相反一侧的第二面；以及第一及第二面之间的两个侧面。磁回路(84)具有以使电流驱动线(72)的第一及第二面侧开放的方式，基本上由沿着电流驱动线的两个侧面延伸的强磁性材料构成的一对板构件(85、86)。

公开(公告)号：CN1495793A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03156828.9

申请日：2003-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁随机存取存储器(MRAM)。其中，该MRAM的MTJ元件(35)，具有夹着隧道阻挡薄膜(36)配置的记录层(37)和参照层(38)、在记录层(37)中存储数据。为了有选择地对磁电阻元件(35)赋予磁场配设有电流驱动线(56)。记录层(37)具备第一强磁性层的同时参照层(38)具备第二强磁性层；对于由电流驱动线(56)赋予上述磁电阻元件(35)的磁场，保持上述第二强磁性层的磁化方向的保持力设定为小于保持上述第一强磁性层的磁化方向的保持力。

公开(公告)号：CN103310847B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210332585.8

申请日：2012-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  青地英明

IPC: G11C19/34

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/02 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0833 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明涉及移位寄存器存储器及其驱动方法。根据本实施例的移位寄存器存储器包括磁柱，该磁柱包括多个磁性层和在彼此邻近的磁性层之间提供的非磁性层。应力施加部分向磁柱施加应力。磁场施加部分向磁柱施加静磁场。应力施加部分向磁柱施加应力，以便将磁性层的磁化状态沿磁性层的层叠方向转移。

公开(公告)号：CN105448929A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510552750.4

申请日：2015-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  多田宰 ,  寺井胜哉 ,  西泽秀之 ,  浅川钢儿 ,  福住嘉晃

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8229

CPC classification number: H01L29/518 ,  G11C11/5664 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/285 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。

公开(公告)号：CN103824596A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410016169.6

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 板垣清太郎 ,  福住嘉晃 ,  岩田佳久

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11578 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器装置以及其中的数据读取方法。一种非易失性半导体存储器装置包括：存储器基元阵列，其具有多个存储器串，每一个所述存储器串具有串联连接的多个存储器基元；以及控制电路，其被配置为执行读取操作以从在所述多个存储器串当中的被选择的存储器串中所包括的所述存储器基元读取数据。在所述读取操作期间，所述控制电路被配置为向不进行所述读取操作的未选择的存储器串中的所述存储器基元中的至少一个存储器基元的栅极施加第一电压，并向不进行所述读取操作的所述未选择的存储器串中的所述存储器基元中的另一存储器基元的栅极施加低于所述第一电压的第二电压。

公开(公告)号：CN102089878B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200980126764.2

申请日：2009-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  鬼头杰 ,  青地英明 ,  胜又竜太 ,  木藤大

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7926 ,  G11C16/0466 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了一种具有高可靠性电荷存储层的非易失性半导体存储器器件。多个绝缘薄膜和多个电极薄膜14被交替堆叠在衬底11上，并在其上设置了沿X方向延伸的多个选择栅电极17和沿Y方向延伸的多个位线BL。提供U形硅构件33，每一个构件均由穿过电极薄膜14和选择栅电极17、其上端连接到位线BL的多个硅柱31和连接置于对角位置的一对硅柱31的下部的连接构件32构成。每一层的电极薄膜14被针对各选择栅电极17划分。通过连接构件32相互连接的一对硅柱31穿过不同的电极薄膜14和不同的选择栅电极17。共同连接到一个位线BL的所有的U形硅构件33被共同连接到另一位线BL。

公开(公告)号：CN101202103B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200710160031.3

申请日：2004-04-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶山健 ,  福住嘉晃 ,  与田博明 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/16 ,  G06F13/00

CPC classification number: G06K19/06187 ,  G11C11/16

Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。