公开(公告)号：CN102089878B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200980126764.2

申请日：2009-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  鬼头杰 ,  青地英明 ,  胜又竜太 ,  木藤大

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7926 ,  G11C16/0466 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了一种具有高可靠性电荷存储层的非易失性半导体存储器器件。多个绝缘薄膜和多个电极薄膜14被交替堆叠在衬底11上，并在其上设置了沿X方向延伸的多个选择栅电极17和沿Y方向延伸的多个位线BL。提供U形硅构件33，每一个构件均由穿过电极薄膜14和选择栅电极17、其上端连接到位线BL的多个硅柱31和连接置于对角位置的一对硅柱31的下部的连接构件32构成。每一层的电极薄膜14被针对各选择栅电极17划分。通过连接构件32相互连接的一对硅柱31穿过不同的电极薄膜14和不同的选择栅电极17。共同连接到一个位线BL的所有的U形硅构件33被共同连接到另一位线BL。

公开(公告)号：CN102089878A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126764.2

申请日：2009-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  鬼头杰 ,  青地英明 ,  胜又竜太 ,  木藤大

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7926 ,  G11C16/0466 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了一种具有高可靠性电荷存储层的非易失性半导体存储器器件。多个绝缘薄膜和多个电极薄膜14被交替堆叠在衬底11上，并在其上设置了沿X方向延伸的多个选择栅电极17和沿Y方向延伸的多个位线BL。提供U形硅构件33，每一个构件均由穿过电极薄膜14和选择栅电极17、其上端连接到位线BL的多个硅柱31和连接置于对角位置的一对硅柱31的下部的连接构件32构成。每一层的电极薄膜14被针对各选择栅电极17划分。通过连接构件32相互连接的一对硅柱31穿过不同的电极薄膜14和不同的选择栅电极17。共同连接到一个位线BL的所有的U形硅构件33被共同连接到另一位线BL。