半导体存储装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105374398A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510097468.1

    申请日:2015-03-05

    Abstract: 本发明的实施方式提供一种可提高动作可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:多个存储单元晶体管MT,分别设于第1及第2层;多个字线WL,分別连接于设于所述第1层的所述存储单元晶体管之一及与之对应设于所述第2层的所述存储单元晶体管之一;第1位线,连接于第1层的存储单元晶体管MT;及第2位线,连接于第2层的存储单元晶体管MT。字线WL共通地连接于分别设于第1及第2层的存储单元晶体管MT。存储单元晶体管MT的数据删除是通过第1及第2删除动作以及第1及第2验证动作而执行。在第2验证动作时施加于第1位线的电压与施加于第2位线的电压不同。

    半导体存储装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104934061A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201410454199.5

    申请日:2014-09-05

    Inventor: 白川政信

    Abstract: 本发明提供一种可提高动作速度的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备多个串单元、第1寄存器BS_REG、第2寄存器FS_REG、第3寄存器PS_REG、及控制电路14。串单元是积层多个存储存储单元而成且为NAND串的集合。第1寄存器BS_REG可保持表示串单元为不可使用串的信息。第2寄存器FS_REG可保持表示串单元验证失败的信息。第3寄存器PS_REG可保持表示串单元为通过验证的串的信息。控制电路基于第1至第3寄存器内的信息,而跳过对任一串单元的删除验证动作。

    半导体存储装置及存储器控制器

    公开(公告)号:CN104934060A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201410454147.8

    申请日:2014-09-05

    Inventor: 白川政信

    Abstract: 本发明提供一种可提高动作性能的半导体存储装置及存储器控制器。实施方式的半导体存储装置(100)包括:多个串单元SU,其是积层多个存储单元而成并且是NAND串的集合;区块BLK,其包含多个串单元SU,成为数据的抹除单位;以及寄存器(122),其针对每个串单元SU保持抹除特性信息。寄存器(122)可将抹除特性信息输出至存储器控制器(200)。

    非易失性半导体存储装置及存储系统

    公开(公告)号:CN104658602A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201410073379.9

    申请日:2014-02-28

    CPC classification number: G11C16/3427 G11C16/0483 G11C16/08

    Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储装置及存储系统。提供可以管理不良区域的非易失性半导体存储装置、存储控制器及存储系统。具备阵列和对所述阵列进行控制的周边电路,所述阵列具备包括多个存储串的第1块和第2块,所述存储串包括能保持数据的n个存储单元;所述n条第1信号布线(CG)配置于所述第1块;所述m条第2信号布线(CG)配置于所述第2块,其中,n为自然数,m为自然数,n>m。

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