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公开(公告)号:CN105374398A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510097468.1
申请日:2015-03-05
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式提供一种可提高动作可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:多个存储单元晶体管MT,分别设于第1及第2层;多个字线WL,分別连接于设于所述第1层的所述存储单元晶体管之一及与之对应设于所述第2层的所述存储单元晶体管之一;第1位线,连接于第1层的存储单元晶体管MT;及第2位线,连接于第2层的存储单元晶体管MT。字线WL共通地连接于分别设于第1及第2层的存储单元晶体管MT。存储单元晶体管MT的数据删除是通过第1及第2删除动作以及第1及第2验证动作而执行。在第2验证动作时施加于第1位线的电压与施加于第2位线的电压不同。
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公开(公告)号:CN104934061A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201410454199.5
申请日:2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 白川政信
Abstract: 本发明提供一种可提高动作速度的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备多个串单元、第1寄存器BS_REG、第2寄存器FS_REG、第3寄存器PS_REG、及控制电路14。串单元是积层多个存储存储单元而成且为NAND串的集合。第1寄存器BS_REG可保持表示串单元为不可使用串的信息。第2寄存器FS_REG可保持表示串单元验证失败的信息。第3寄存器PS_REG可保持表示串单元为通过验证的串的信息。控制电路基于第1至第3寄存器内的信息,而跳过对任一串单元的删除验证动作。
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公开(公告)号:CN104916315A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201410453106.7
申请日:2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/04
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0634 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/0875 , G06F13/16 , G06F2212/1016 , G06F2212/214 , G06F2212/452 , G06F2212/7203 , G06F2212/7207 , G11C7/1063 , G11C7/24 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种可有效率地被控制的半导体存储装置。存储装置(1)包含:第一及第二存储单元阵列(CA0、CA1);以及控制电路,其可输出第一信息与第二信息,该第一信息表示能否受理指示对第一存储单元阵列的访问的命令,该第二信息表示能否受理指示对第二存储单元阵列的访问的命令。
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公开(公告)号:CN104658602A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201410073379.9
申请日:2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C16/04 , H01L27/112
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C16/0483 , G11C16/08
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储装置及存储系统。提供可以管理不良区域的非易失性半导体存储装置、存储控制器及存储系统。具备阵列和对所述阵列进行控制的周边电路,所述阵列具备包括多个存储串的第1块和第2块,所述存储串包括能保持数据的n个存储单元;所述n条第1信号布线(CG)配置于所述第1块;所述m条第2信号布线(CG)配置于所述第2块,其中,n为自然数,m为自然数,n>m。
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