公开(公告)号：CN102194955A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275293.6

申请日：2010-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤俊秀 ,  橘浩一 ,  布上真也

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L31/022466 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L33/42

Abstract: 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。

公开(公告)号：CN101232068A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008868.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  名古肇 ,  斎藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。

公开(公告)号：CN1897374A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101777.2

申请日：2006-07-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  斋藤真司 ,  布上真也

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/10 ,  H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/00 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3216

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。