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公开(公告)号:CN100452309C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200510092145.X
申请日:2005-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/73204 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据制造半导体晶片和半导体器件的方法,半导体晶片的背面接地,并通过干或湿腐蚀,使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。
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公开(公告)号:CN100359687C
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN03148062.4
申请日:2003-06-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/167 , H01L25/167 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2924/12041 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的光耦合半导体器件具有:在第1布线基板的主面表面上形成、位于第2布线基板的开口部的对角上的安装电极和引线电极;一个极与安装电极连接,另一个极经引线与引线电极连接的发光元件;在第2布线基板的主面表面上,夹着第2布线基板所成的开口部而设置的第1和第2电极焊区;以堵塞第2布线基板所成的开口部的方式配置、与第1电极焊区连接、与发光元件相向的光接收元件;以及与第2电极焊区连接、与引线相向的开关元件。
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