公开(公告)号：CN102379027A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080011595.0

申请日：2010-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾田智彦 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种硅薄膜的结晶化方法以及硅薄膜晶体管器件的制造方法。硅薄膜的结晶化方法包括：第二工序，在基板(1)上层叠具有第一反射率的第一栅电极(2)；第三工序，使第一栅电极(2)的上面周边部露出而在第一栅电极(2)上层叠第二栅电极(3)，所述第二栅电极(3)具有比第一反射率小的第二反射率，并且其上面面积比第一栅电极(2)的上面面积小；第四工序，覆盖没有形成第一栅电极(2)的基板(1)上的周边区域、从第二栅电极(3)露出的第一栅电极(2)上的第一区域、以及第二栅电极(3)的上面的第二区域，层叠栅极绝缘膜(4)；第五工序，在层叠的栅极绝缘膜(4)上层叠非晶硅薄膜(5a)；以及第六工序，通过从非晶硅薄膜(5a)的上方照射激光，使非晶硅薄膜(5a)结晶化。由此，能够使硅薄膜的晶粒的尺寸均匀。

公开(公告)号：CN101371335A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780003085.7

申请日：2007-01-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  中川彻 ,  鸟井秀雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。

公开(公告)号：CN1976869A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000344.6

申请日：2006-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  美浓规央

IPC: B82B1/00 ,  H01L21/336 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/882

Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。

公开(公告)号：CN1950950A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014058.0

申请日：2005-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹内孝之 ,  川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  奥泽智宏 ,  北冈康夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66742 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其包括半导体层(14)、与半导体层(14)电连接的源电极(15)以及漏电极(16)、和用于对源电极(15)和漏电极(16)之间的半导体层(14)施加电场的栅电极(12)，半导体层(14)包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。

公开(公告)号：CN1906771A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001762.2

申请日：2005-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78642 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。

公开(公告)号：CN1762047A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200480007417.5

申请日：2004-03-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩永顺子 ,  高木刚 ,  神泽好彦 ,  空田晴之 ,  齐藤彻 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体装置，其具有：形成有沟槽的半导体基板、埋设在沟槽内且由含有相同的导电型杂质的半导体所形成的源极区域以及漏极区域、埋设在沟槽内且设置在上述源极区域与上述漏极区域之间的半导体FIN、从半导体FIN的侧面连续设置到其上面的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅电极、以及设置在沟槽内且包围源极区域与漏极区域的第1绝缘膜。