公开(公告)号：CN100403520C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410078515.X

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  那须徹 ,  藤井英治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN1244155C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

公开(公告)号：CN1486512A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN01821958.6

申请日：2001-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  伊东丰二 ,  今西贞之 ,  藤井英治

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

公开(公告)号：CN1132246C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN97119623.0

申请日：1997-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  中尾圭策 ,  井上敦雄 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04 ,  G01R31/26

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/22 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002

Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式，t1＝t2m，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。

公开(公告)号：CN1393931A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN02124394.8

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的目的在于：维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极31的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层15覆盖起来。上方电极33的上面、该上方电极33、电容绝缘膜32及掩埋绝缘膜16的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层17覆盖起来。第2绝缘性阻挡层17在下方电极31两侧的区域和第1绝缘性阻挡层15相接触。

公开(公告)号：CN1079585C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN95106466.5

申请日：1995-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井英治 ,  井上敦雄 ,  有田浩二 ,  那须徹 ,  松田明浩

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：在表面形成集成电路的半导体基片，形成在该基片上且具有通达集成电路的第1通孔的第1绝缘膜，形成在第1绝缘膜上的电容元件，形成在第1绝缘膜上覆盖电容元件且具有分别通达上电极和下电极的第2通孔的第2绝缘膜，以及形成分别通过第1和第2通孔与集成电路和电容元件连接的电极布线。所述电容元件电介质膜的氢面密度在1011个/cm2以下。

公开(公告)号：CN1075243C

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN95119333.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。