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公开(公告)号：CN1976869A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000344.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B82B1/00 , H01L21/336 , B82B3/00 , H01L29/06 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/1292 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78603 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , Y10S977/882
Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。
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公开(公告)号：CN1950950A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014058.0
申请日：2005-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/66742 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其包括半导体层(14)、与半导体层(14)电连接的源电极(15)以及漏电极(16)、和用于对源电极(15)和漏电极(16)之间的半导体层(14)施加电场的栅电极(12)，半导体层(14)包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。
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公开(公告)号：CN1906771A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001762.2
申请日：2005-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/7781 , H01L29/78642 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。
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公开(公告)号：CN1762047A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007417.5
申请日：2004-03-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/66795
Abstract: 一种半导体装置，其具有：形成有沟槽的半导体基板、埋设在沟槽内且由含有相同的导电型杂质的半导体所形成的源极区域以及漏极区域、埋设在沟槽内且设置在上述源极区域与上述漏极区域之间的半导体FIN、从半导体FIN的侧面连续设置到其上面的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅电极、以及设置在沟槽内且包围源极区域与漏极区域的第1绝缘膜。
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