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公开(公告)号：CN115985995B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN111876826B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111876826A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111403604A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010147756.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种双空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及金属电极，该钙钛矿吸光层为甲胺铅碘薄膜，空穴传输层由第一空穴传输层并四苯以及第二空穴传输层酞菁铜组成，第一空穴传输层邻接钙钛矿吸光层，第二空穴传输层邻接金属电极。由并四苯和酞菁铜组成的双空穴传输层，实现了本发明钙钛矿太阳能电池的水、氧以及热稳定性，并且其材料成本和工艺难度也得到了降低；另外由于该钙钛矿太阳能电池的制备过程中主要采用真空蒸镀的方法，工艺上较为简单，且能够大面积制备以及工业化生产，相较于传统的溶液旋涂法更节省材料、更环保。
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公开(公告)号：CN110306236A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110305019A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910756048.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 暨南大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C07C211/03
Abstract: 本发明涉及一种二维层状钙钛矿晶体及其制备方法，该方法主要包括，取一定量的丁胺氢碘酸盐或者丁胺氢碘酸盐与甲基碘化胺，与一定量的碘化铅研磨混合均匀，得混合粉末；将所述混合粉末转移至聚四氟乙烯内胆中密封；将密封后的聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，在160-200℃下加热24-48小时，得二维层状钙钛矿晶体(BA)2(CH3NH3)n-1PbnI3n+1，其中，n为正整数。该方法不使用有毒的溶液进行反应，更加绿色环保。并且采用该方法制备的二维层状钙钛矿晶体稳定性好。
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公开(公告)号：CN109809490A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910225427.4
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法，该方法包括，将三氧化钨粉末均匀压紧平铺在衬底上，平铺厚度为0.5～3mm；在真空条件下，对所述三氧化钨粉末进行高温加热40～90min，然后自然冷却至室温，即可获得紫色氧化钨纳米线。本发明采用一步法即可获得W18O49纳米线，其工序简单，该方法获得的W18O49纳米线比表面积大，适用于光电器件及电化学器件等，多余的WO3粉末可重复煅烧使用，节约成本。
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公开(公告)号：CN108269921A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810108688.3
申请日：2018-02-01
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括导电衬底FTO、电子传输层、三维-二维钙钛矿层、空穴传输层、电极；其中，所述的三维-二维钙钛矿层均通过气相法制备而成。本发明用三维-二维钙钛矿层作为吸光层，一方面提高了太阳能电池对湿度和温度稳定性，降低了工艺上对封装的要求，并且减少了有机溶剂的使用。另一方面，此气相法制备的三维-二维钙钛矿层更具有工业生产的价值，为产业化生产具有高稳定性的钙钛矿太阳能电池提供一种新的思路。
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公开(公告)号：CN107190319A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710350244.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法。该方法包括以下具体步骤：(1)将三氧化钼粉末通过再结晶形成三氧化钼晶体。(2)将三氧化钼晶体粘贴于胶带上。(3)将胶带粘贴于平整衬底上，挤压其中的气泡，贴实，然后撕开，使部分三氧化钼晶体紧贴于衬底上。(4)将粘附有三氧化钼的衬底浸泡于碱性溶液中8～20s，取出迅速吹干，即可在衬底表面获得大面积少层三氧化钼纳米片。本发明结合了机械剥离法和溶液插层法的优点，可以获得大面积少层三氧化钼纳米片，且制作工艺简单快捷。制备的三氧化钼晶体可用于光电器件领域。
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公开(公告)号：CN104993006B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510269958.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/032 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属氧化物‑硅异质结太阳能电池及其制备方法。该过渡金属氧化物‑硅异质结太阳能电池包括金属背电极、硅倒金字塔阵列、N型硅基底、硅金字塔阵列、空穴传输层和电池的正极；其中，所述的空穴传输层为过渡金属氧化物薄膜。本发明用过渡金属氧化物薄膜作为空穴传输层，一方面相对P型的共轭有机物作为空穴传输层，提高了太阳能电池的稳定性，降低了工艺上对封装的要求，从而降低了制造成本，另一方面相对传统的硅太阳能电池，不需要高温磷扩散及去扩散层等工艺，简化了工艺，大大节约了制造成本。另外，本发明还对硅基的表面进行甲基化处理，不仅提高了器件的性能，还提高了器件在空气中的稳定性。
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