-
公开(公告)号：CN1551123A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
-
公开(公告)号：CN1538391A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
-
公开(公告)号：CN1294561C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
-
公开(公告)号：CN1282163C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
-
公开(公告)号：CN1270294C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
-
公开(公告)号：CN1505006A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118358.6
申请日：2003-11-25
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/84
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。
-
公开(公告)号：CN104347088B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
-
公开(公告)号：CN101120403B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200580048297.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。
-
公开(公告)号：CN101185128B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200680018703.0
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.029 seconds)
