公开(公告)号：CN101120403B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200580048297.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  清水谦治

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/73 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65

Abstract: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。

公开(公告)号：CN101185128B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200680018703.0

申请日：2006-07-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  清水谦治

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851

Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。

公开(公告)号：CN101124627A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580048564.1

申请日：2005-10-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/73 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种记录密度较高、矫顽磁力较大和噪声较小的磁记录介质。还提供磁记录介质的制造方法、磁记录和再现装置。磁记录介质至少包括非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，这些层以此顺序层叠在非磁性基底上，并且非磁性内涂层的至少一层由WV合金或者MoV合金制成。

公开(公告)号：CN101120403A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580048297.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  清水谦治

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/73 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65

Abstract: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。

公开(公告)号：CN101002255A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580021684.2

申请日：2005-06-07

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 荻原英夫 ,  田中勉 ,  大泽弘

IPC: G11B5/73

Abstract: 一种磁记录和再现设备包括一个矩形盒体，该盒体上部有一个开口，里面装有一种磁记录介质，该介质以硅为基底，直径为50mm或更小，该设备包括一个主轴电动机，用作驱动装置，以支撑和转动所述磁记录介质，还包括一个磁头悬架组件，它包括用来在所述磁记录介质上记录和再现磁信号的磁头，并且支撑着所述磁头相对于所述磁记录介质移动；一个音圈马达，用来转动并定位所述磁头悬架组件；一个印刷电路基底，用来控制所述主轴电动机和音圈马达的运动；以及一个顶盖，用以封闭所述盒体的上部开口。

公开(公告)号：CN1906665A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001568.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  松本俊 ,  远藤大三

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/73

Abstract: 一种磁记录介质包括依次堆叠在非磁性衬底上的方向调整层、非磁性衬层、非磁性中间层、磁性层和保护层，该非磁性衬底在其第一表面上提供有纹理并且用于磁盘。该非磁性衬层含有由Cr－Mn类合金形成的至少一层并且具有沿其圆周方向的易磁化轴的磁各项异性。磁记录和再现设备包括该磁记录介质和使得信息能够记录在该从记录介质上并且从中再现的磁头。

公开(公告)号：CN1768376A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008701.4

申请日：2004-04-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘

IPC: G11B5/66

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以降低介质噪声的磁记录介质。本发明提供一种磁记录介质，其以如下顺序在非磁性衬底上包括至少非磁性底涂层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、以及保护层，其中第二磁性层与第一磁性层反铁磁性耦合，以及第一磁性层由CoCrZr合金制成。

公开(公告)号：CN100585704C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200580027290.8

申请日：2005-08-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  黑川刚平

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/73 ,  G11B5/82 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明是一种用于磁记录介质的制造方法，其中至少磁性层、保护层、和润滑层依次层叠到非磁性基底1上，并且该非磁性基底1使用由在大约大气压下产生的等离子体激活的气体对非磁性基底进行表面处理。作为本发明的结果，通过有效地除去存在于磁记录介质表面上的外界物质和凸起，其可以高产率地制造磁记录介质，具有很少的差错以及良好的磁头浮动性。

公开(公告)号：CN100565949C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200680033223.1

申请日：2006-09-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泽弘 ,  程田高史

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，该氮化物半导体发光器件在去除衬底之后翘曲较小，并且可从其侧面发射光；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤：通过在衬底上依次层叠至少n型半导体层、发光层和p型半导体层，形成叠层；形成沟槽，所述沟槽对应于将要制造的氮化物半导体发光器件分割所述叠层；用牺牲层填充所述沟槽；以及通过镀敷在所述p型半导体层和所述牺牲层上形成镀敷层。

公开(公告)号：CN101421856A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780012867.7

申请日：2007-04-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福永修大 ,  大泽弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供可高效地输出紫外光的半导体发光元件及其制造方法。本发明的半导体发光元件(1)，其具备含有p型半导体层(14)并至少在紫外区具有发光波长的半导体层和设置于所述p型半导体层(14)上的透光性电极(15)，所述透光性电极(15)是含有结晶化了的IZO膜的电极。