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公开(公告)号：CN107921541B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201680051537.8
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
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公开(公告)号：CN107921540B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680051483.5
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。
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公开(公告)号：CN109070206A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025733.2
申请日：2017-04-20
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，铜粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，第二粒子的含量以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。
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公开(公告)号：CN108886028A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019216.4
申请日：2017-02-23
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 提供一种可以提高绝缘可靠性的有机插入体及其制造方法。有机插入体(10)具备：含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘层叠体(12)；和在有机绝缘层叠体(12)内排列的多个配线(13)，配线(13)与有机绝缘层被阻隔金属膜(14)隔开。有机绝缘层叠体(12)可以含有：具有配置有配线(13)的多个凹槽部(21a)的第一有机绝缘层(21)；和按照填埋配线(13)的方式层叠在第一有机绝缘层(21)上的第二有机绝缘层(22)。
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公开(公告)号：CN111247647A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880068703.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L35/34 , B22F7/08 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C19/03 , H01L35/08
Abstract: 本发明的热电转换模块的制造方法为制造具有热电半导体部和高温侧电极及低温侧电极的热电转换模块的方法，所述热电半导体部是p型半导体与n型半导体交替地多个排列而成的，所述高温侧电极及低温侧电极将相邻的所述p型半导体及所述n型半导体电串联地连接，所述高温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的高温热源一侧的接合面，所述低温侧电极接合于所述p型半导体及所述n型半导体的低温热源一侧的接合面，所述制造方法具备通过对设置于所述高温侧电极及所述低温侧电极中的至少一方与所述p型半导体及所述n型半导体之间的含有金属粒子的接合层进行烧结来将其接合的接合工序，所述接合层由含有铜粒子作为所述金属粒子的接合材料形成。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107949447A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680051482.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。
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公开(公告)号：CN104475758B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410616539.X
申请日：2010-09-13
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: B22F9/26 , B22F1/02 , B22F9/22 , B22F9/24 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/25 , B22F2999/00 , B32B15/01 , C22C5/04 , C22C9/00 , H01B1/026 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/1283 , H05K2201/0224 , H05K2201/0272 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T156/10 , Y10T428/12903 , B22F2201/013 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供能形成基板粘附性、低体积电阻率、深部金属性优良的金属铜膜和金属铜图案的液状组合物。其含有铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物、及25℃下的蒸气压小于1.34×103Pa的溶剂，所述铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物被分散为其平均分散粒径成为500nm以下且最大分散粒径成为2μm以下，所述铜氧化物的含量相对于所述铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物、及溶剂的总量100体积份为1～80体积份，所述过渡金属、合金、或过渡金属配合物分别为选自由Cu、Pd、Pt、Ag、Au及Rh组成的组中的金属、或包含该金属的合金、或包含该金属元素的配合物。
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公开(公告)号：CN204102589U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420253234.2
申请日：2014-05-16
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种导电粒子、绝缘被覆导电粒子、各向异性导电性粘接剂膜以及连接结构体。本实用新型提供一种导电粒子，所述导电粒子在用作配合于各向异性导电性粘接剂中的导电粒子时能够兼顾低导通电阻和高绝缘可靠性。导电粒子具有树脂粒子和设置在该树脂粒子表面的镍金属层，在镍金属层中配置有在镍金属层的厚度方向上的长度大于或等于4nm的钯粒，镍金属层在外表面具有突起。
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