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公开(公告)号：CN102318079A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156745.4
申请日：2009-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/056 , H01L31/048 , H01L31/0547 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池模块，是在具有透光性的表面侧密封部件与背面侧密封部件之间夹着的填充材料中将电连接的多个太阳能电池单元在表面侧密封部件的面内方向上隔开间隔进行埋设而成的，其中，在背面侧密封部件中，至少与太阳能电池单元对应的区域为高反射率部，具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率为50％以上的高反射率，在邻接的太阳能电池单元间的区域或者在太阳能电池模块的厚度方向上与该区域对应的区域中，在太阳能电池单元的反射防止膜的表面与背面侧密封部件之间的任一个位置处具备低反射率部，该低反射率部具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率不足50％的低反射率。
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公开(公告)号：CN101901846A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010128659.7
申请日：2005-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 通过具备光电变换层、在上述光电变换层的一个面一侧设置的第一电极、在上述光电变换层的另一个面一侧设置的第二电极以及在上述光电变换层的另一个面一侧在上述光电变换层的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠、同时将其角部作成圆角部、设置成大致四角形状并用于从上述第二电极取出输出的第三电极，得到有效地防止了与上述第二电极交叠地设置的上述第三电极的剥离的太阳能电池单元。
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公开(公告)号：CN100490183C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580013772.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池单元，包括光电变换衬底(10)、在上述衬底的一个面一侧设置的第一电极(21)、在上述衬底的另一个面一侧设置的第二电极(17)以及在上述衬底的另一个面一侧设置的第三电极(19)。上述第三电极从上述第二电极取出电力并且在沿着上述光电变换衬底的面的方向在其外缘部与上述第二电极交叠。上述第二电极的厚度比上述第三电极的厚度厚并且上述第二电极的厚度与上述第三电极的厚度之差大于等于10μm、小于等于30μm。
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公开(公告)号：CN101213672A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680023755.7
申请日：2006-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0224 , H01L31/022433 , H01L31/0508 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的目的在于不增大电极的电阻，得到机械强度大的太阳能电池单元，本发明的太阳能电池单元(10)具备硅基板(3)、从硅基板(3)的背面集电的作为第1电极的铝电极(1)、从铝电极(1)取出输出的作为第2电极的银电极(2)，铝电极(1)形成在硅基板(3)的背面上，具有开口部(1a)以及从开口部(1a)在硅基板(3)内面内的与主应力的方向平行的方向上凹陷的切口部(1b)，银电极(2)形成为覆盖铝电极(1)的至少开口部(1a)和切口部(1b)。
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公开(公告)号：CN101107719A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200580013772.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 在具备具有光电变换功能的衬底、在上述衬底的一个面一侧设置的第一电极、在上述衬底的另一个面一侧设置的第二电极、以及在上述衬底的另一个面一侧在上述衬底的面内方向上其外缘部与上述第二电极交叠地设置的、用于从上述第二电极取出输出的第三电极的太阳能电池单元中，通过使上述第二电极的厚度比上述第三电极的厚度厚且使上述第二电极的厚度与上述第三电极的厚度之差大于等于10μm、小于等于30μm，得到有效地防止了电极剥离(合金剥离)的太阳能电池单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924956B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201580082173.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。
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公开(公告)号：CN109463041A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201680087244.5
申请日：2016-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02S50/10 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
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公开(公告)号：CN105247686B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201380076925.8
申请日：2013-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 森川浩昭
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/0508 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池单元，具备：第1导电类型的半导体基板，在作为受光面侧的一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；受光面侧电极，由栅电极和与所述栅电极导通且比所述栅电极更宽幅的汇流电极构成，该受光面侧电极在所述一面侧形成而与所述杂质扩散层电连接；以及背面侧电极，在所述半导体基板的与所述一面侧相反的一侧的背面中形成而与所述杂质扩散层电连接，其中，所述受光面侧电极具备第1金属电极层，该第1金属电极层是与所述半导体基板的一面侧直接接合了的金属膏电极层；第2金属电极层，由与所述第1金属电极层不同并且具有与所述第1金属电极层大致等同的电阻率的金属材料构成，是覆盖在所述第1金属电极层上而形成了的镀覆电极层，所述栅电极的剖面积是300μm2以上，所述栅电极的电极宽度是60μm以下。
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公开(公告)号：CN104521002B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280075188.5
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。
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公开(公告)号：CN101913209B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010255701.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅片的制造方法，所述硅片的制造方法具有使用硅锭切割用浆液由硅锭切出具有预定的表面粗糙度的硅块的步骤、以及由所述硅块切出分别具有预定的厚度的硅片的步骤，所述硅锭切割用浆液含有磨粒和碱性物质，所述浆液含有相对于所述浆液的液体成分中的水分的质量比为0.5以上、5.0以下的有机胺，所述浆液的pH值为12以上，且在65℃以上、95℃以下的温度下使用所述浆液，所述预定的表面粗糙度被设定成基板损坏改善率为80％以上的区域的上限值以下。
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