公开(公告)号：CN101960617B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200880127894.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原隆 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：P型硅基板101；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层102L；在低电阻N型扩散层102L上形成的栅电极111；在背面形成的P+层110；以及在P+层110上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层102L的上表面到达硅基板101的方式，按照规定间隔设置的凹部106，在相邻的凹部106之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层102L，在从凹部106的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层102H。

公开(公告)号：CN103400898A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310332650.1

申请日：2008-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原隆 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法。不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板（101）；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层（102L）；在低电阻N型扩散层（102L）上形成的栅电极（111）；在背面形成的P+层（110）；以及在P+层（110）上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层（102L）的上表面到达硅基板（101）的方式，按照规定间隔设置的凹部（106），在相邻的凹部（106）之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层（102L），在从凹部（106）的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层（102H）。

公开(公告)号：CN102318079A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156745.4

申请日：2009-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原隆 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池模块，是在具有透光性的表面侧密封部件与背面侧密封部件之间夹着的填充材料中将电连接的多个太阳能电池单元在表面侧密封部件的面内方向上隔开间隔进行埋设而成的，其中，在背面侧密封部件中，至少与太阳能电池单元对应的区域为高反射率部，具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率为50％以上的高反射率，在邻接的太阳能电池单元间的区域或者在太阳能电池模块的厚度方向上与该区域对应的区域中，在太阳能电池单元的反射防止膜的表面与背面侧密封部件之间的任一个位置处具备低反射率部，该低反射率部具有针对400nm～1200nm范围的波长的光的平均反射率不足50％的低反射率。

公开(公告)号：CN103400898B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310332650.1

申请日：2008-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原隆 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法。不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板（101）；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层（102L）；在低电阻N型扩散层（102L）上形成的栅电极（111）；在背面形成的P+层（110）；以及在P+层（110）上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层（102L）的上表面到达硅基板（101）的方式，按照规定间隔设置的凹部（106），在相邻的凹部（106）之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层（102L），在从凹部（106）的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层（102H）。

公开(公告)号：CN101960617A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127894.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原隆 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电动势装置，不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板101；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层102L；在低电阻N型扩散层102L上形成的栅电极111；在背面形成的P+层110；以及在P+层110上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层102L的上表面到达硅基板101的方式，按照规定间隔设置的凹部106，在相邻的凹部106之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层102L，在从凹部106的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层102H。