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公开(公告)号：CN100567441C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610058544.9
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN101560373A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910203503.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN1321166C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN02148174.1
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1745460A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN1526786A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03119819.8
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN1982401B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710001563.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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公开(公告)号：CN100587918C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200680042016.2
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α-取代衍生物所组成的组中的任一种N-单取代衍生物或N，N-二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN101423747A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810183028.8
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN100377310C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN101029214A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710096425.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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