公开(公告)号：CN115572552A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210722864.9

申请日：2022-06-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 手柴麻里子 ,  河野广希

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体晶片加工用压敏粘合片。提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且可以抑制残胶。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa，并且其中G′1RT/G′2RT为1以上。

公开(公告)号：CN113755106A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110612742.X

申请日：2021-06-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  河野广希 ,  植野大树

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。半导体加工用压敏粘合片包括压敏粘合剂层和基材。该半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。

公开(公告)号：CN112980344A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011462347.X

申请日：2020-12-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野广希 ,  小坂尚史 ,  龟井胜利

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08

Abstract: 本发明的课题在于提供也适合于包含高温工艺的使用方式的半导体加工用粘合片。本发明的解决手段是提供包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片。对于上述半导体加工用粘合片而言，一个方式中，常规剥离力Fda2为0.50N/20mm以下，所述常规剥离力Fda2利用以下方法测定：将上述粘合面贴附于硅晶片，进行175℃下、15分钟的加热处理及累积光量为1000mJ/cm2的紫外线照射处理后，在拉伸速度为300mm/分钟、剥离角度为180度的条件下测定剥离强度。

公开(公告)号：CN111716242A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010182172.0

申请日：2020-03-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野广希

IPC: B24B37/30 ,  C09J7/38 ,  C09J7/40 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及背面研磨带。提供一种耐热性优异并且即使在高真空和高温工艺中也可以适宜地使用的背面研磨带。背面研磨带包括：基材；和在所述基材的一面上形成的压敏粘合剂层。基材的弯曲刚性为0.2N·mm2以上，在400nm波长下的透光率为10％以上，并且构成基材的树脂的熔点为200℃以上。

公开(公告)号：CN107431115A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680016213.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大薮恭也 ,  河野广希 ,  周逸旻

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L2933/0058

Abstract: 带光反射层的光半导体元件的制造方法具备如下工序：将多个光半导体元件的电极面彼此隔开间隔地临时固定于临时固定片材的工序，该多个光半导体元件具有：设置有电极的电极面；发光面，其与电极面相对，设置有发光层；以及连结面，其将电极面的周端缘和发光面的周端缘连结；将光反射片材向彼此相邻的光半导体元件的第1间隙填充而在多个光半导体元件的连结面形成光反射层的工序；将光反射层的附着于多个光半导体元件的发光面的部分去除的工序；以及在彼此相邻的光半导体元件之间将光反射层切断的工序。

公开(公告)号：CN105957816A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610131775.1

申请日：2016-03-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野广希 ,  大薮恭也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L33/48 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67121 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67703 ,  H01L33/48 ,  H01L33/486

Abstract: 本发明提供吸具、吸具的使用方法以及光半导体装置的制造方法。一种吸具，其用于对被吸物进行吸引并使该被吸物移动，其中，该吸具包括吸引部，该吸引部具有开口部和包围开口部的抵接部。开口部相对于被吸物的面积比为8％～88％，抵接部的肖氏硬度A为65以上且小于95。

公开(公告)号：CN105408989A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042209.2

申请日：2014-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大薮恭也 ,  野吕弘司 ,  河野广希

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: 封装半导体元件的制造方法包括：准备工序，在该准备工序中，准备配置有半导体元件的支承片；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层、层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层以及层叠在剥离层之上且用于加强剥离层和封装层的加强层的封装片的封装层，在常温下埋设半导体元件而将半导体元件封装；加热工序，该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化；以及剥离工序，该剥离工序在加热工序之后将加强层剥离。

公开(公告)号：CN103296177A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310066289.2

申请日：2013-03-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 胁家慎介 ,  高木俊和 ,  福塚浩史 ,  大薮恭也 ,  片山博之 ,  近藤隆 ,  河野广希

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L33/60 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种发光装置、照明装置、发光装置集合体及发光装置的制造方法。发光装置包括：基板，其上表面包括镜面区域；半导体发光元件，其配置在镜面区域内；以及封装层，其与基板的上述上表面接合；封装层包括：下层，其与基板的上述上表面相接触并覆盖半导体发光元件，该下层含有荧光体；以及上层，其位于下层上且每单位面积的荧光体的含量多于下层的每单位面积的荧光体的含量。