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公开(公告)号：CN118234275A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410350180.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种基于路易斯酸钝化法实现叠层式Micro‑LED光学引擎的制备方法，包括Micro‑LED芯片阵列、投影镜头和屏幕。所述Micro‑LED芯片阵列为垂直堆叠的芯片结构，由半导体衬底、第一外延层、第二外延层以及封装膜构成。本发明第一外延层的发光层由两个并列的蓝光和绿光钙钛矿量子点组成，在第一外延层之上的第二外延层由红光钙钛矿量子点和蓝光、绿光增透膜构成。本发明采用钙钛矿量子点作为发光芯片，通过路易斯酸钝化法实现全可见光区域范围发光的叠层式Micro‑LED投影，达到提高发光效率的目的。同时可解决现有技术中RGB三原色芯片并排布置导致单个像素点面积较大问题，有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118968929A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411018571.8
申请日：2024-07-29
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明提供了一种Mini‑LED背光显示器的局部调光优化方法，将单帧图像分割成固定大小的块，根据图像块的亮度、环境光亮度、观看距离和人类视觉系统的对比灵敏度特性进行优化调光，对图像块进行亮度补偿后，对其进行边缘检测，如果存在堵塞伪影，基于对比灵敏度曲线峰值和边缘检测结果对图像块进行二次亮度补偿后将图像块重新合并为完整图像，否则直接将图像块重新合并为完整图像。本发明综合考虑了观看条件及人类视觉系统特性，将图像分割成固定块逐行扫描，提高了背光调光的准确性并减少能耗。
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公开(公告)号：CN117976790A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410186329.5
申请日：2024-02-20
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明公开了一种提高光提取效率的LED芯片结构及制备方法，该结构基于GaN基半导体发光。整体结构包括P型GaN层、量子阱、N型GaN层、带有V型沟槽结构的衬底结构与底部金属反射膜。其中P型GaN层以及量子阱层经由光电激发后发射光子，衬底位于N‑GaN层上方，向下发射的光子经由金属反射膜反射后向上传播至衬底中。衬底下方经由蚀刻在其表面形成V型沟槽，在单个像素下组成了独立的微反射结构，原本发散的光子经由V型沟槽侧壁向发光方向反射，有效提高了单个像素的光输出效率。本发明通过蚀刻沟槽的方法，实现了LED芯片单个像素的亮度集中，提高了了显示芯片整体亮度，可应用于头戴式显示、车载抬头显示、微型投影等设备中作为微显示图像发光单元。
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公开(公告)号：CN117784426A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311718583.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室
IPC: G02B27/01
Abstract: 本发明公开一种AR双目显示系统，包括镜框、保护镜片、光学镜片和微投影主机。所述光学镜片分为入耦合全息衍射光学镜片和出耦合全息衍射光学镜片；所述微投影主机可拆卸式安装于所述镜框外侧。当安装并启动微投影主机时，整个眼镜形成全息波导显示系统，入耦合全息衍射光学元件和出耦合光学元件构成的望远镜光学系统，将微显示器画面位于人眼前一定距离处投射成正立的放大的虚像，从而实现大视场的效果，同时通过全息波导结构将传统的同轴望远光学系统光路转折进入人眼。本发明技术方案能够方便拆卸AR显示系统的微投影主机，实现普通眼镜和AR眼镜的快速切换，结合全息波导结构，解决了传统全息波导显示装置视场小、出瞳小的问题。
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公开(公告)号：CN119967861A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311477718.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：基底；体区和漂移区，沿第一方向排布于基底内；漂移区内设有漏区，体区内设有源区；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介质层，设于基底上，且至少覆盖部分体区和部分漂移区；第一场板，设于第一介质层远离基底的一侧，第一场板在基底上的正投影位于体区和漏区之间，且覆盖部分漂移区；第一高K介质层，设于第一介质层远离基底的一侧，且与第一场板靠近漏区的一端连接，第一高K介质层在基底上的正投影覆盖部分漂移区。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件一方面可以提升器件耐压，另一方面在相同击穿电压下，可以实现更小的导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114964480B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210678756.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种眩光测试仪校准装置及其校准方法，其包括：利用光谱辐射亮度计测量眩光源和背景光亮度值，使用几何测量仪器测量空间位置量值，根据不同眩光值的原理计算眩光值，通过对比校准的方式实现对眩光测试仪的校准。本发明的眩光源和背景光覆盖古斯位置指数表和整个视场空间的范围，通过调节电源输出电压和电流的大小分别控制眩光源亮度和背景光亮度，测量出两者的亮度值和几何位置参数，可以实现不同场景下眩光值的模拟。本发明对眩光测试仪器的研发和升级，以及眩光测试值的量值溯源和统一具有重要支撑，同时对提升照明设计质量，保护人们视觉健康具有积极意义。
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公开(公告)号：CN119156119A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714220.X
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种霍尔传感器及其制造方法，所述霍尔传感器包括：衬底，具有第二导电类型；埋藏区，位于所述衬底中，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多个第一导电类型阱区，位于所述埋藏区上，各所述第一导电类型阱区的底部与所述埋藏区直接接触，相邻的第一导电类型阱区之间被所述衬底隔开。本发明可以促使载流子经由埋藏区从器件内部流过，这样就优化了电流路径，降低器件的表面效应与噪声对霍尔器件性能的影响，提高霍尔器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119153489A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310715151.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述器件包括耐压区，耐压区包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、多个电阻结构、多个导电结构、漏极掺杂区及第一漏电极。第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区设于衬底中，各电阻结构设于衬底上；每个导电结构的两端各连接一电阻结构，从而将各电阻结构串联连接；一导电结构的底部与第二导电类型掺杂区电性连接，其余电阻结构的底部与所述第一导电类型掺杂区电性连接。漏极掺杂区，设于衬底中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区与漏极掺杂区之间；第一漏电极设于漏极掺杂区上，第一漏电极的底部与漏极掺杂区电性连接。本发明极大地提高了器件的雪崩能力，消除了衬偏效应。
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公开(公告)号：CN117995534A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN119153488A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714329.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离结构，包括：结终端，包括多个结终端浮空场板；隔离环，与所述结终端连接；横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极区、漏极区、栅极、漂移区、场区绝缘层及LDMOS浮空场板，所述漂移区的至少部分区域位于所述源极区和漏极区之间，所述场区绝缘层位于所述漂移区上，所述栅极的一侧靠近所述源极区、另一侧靠近所述漏极区，所述LDMOS浮空场板的数量与所述结终端浮空场板相同，各所述LDMOS浮空场板与各所述结终端浮空场板一一对应电性连接；各所述LDMOS浮空场板包括靠近所述源极区设置的第一场板、靠近所述漏极区设置的第二场板及位于所述第一场板和第二场板之间的若干第三场板。本发明能够提升隔离结构中LDMOS的击穿电压。
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