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公开(公告)号：CN106655819B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201611116262.X
申请日：2016-12-07
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 本发明涉及一种双向变流器短路电流整流器件保护装置，其特征在于，所述保护装置包括一套整流器件，功率器件IGBT、钳位二极管以及支撑电容，所述整流器件与功率器件IGBT并联，组成两组不控整流桥臂，所述支撑电容与功率器件IGBT并联。该技术方案可以有效的保证短路电流由整流器件流过，使得流过IGBT续流二极管的电流降低在可承受的范围内，有效的保护IGBT不受损伤。
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公开(公告)号：CN210376577U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201821359604.5
申请日：2018-08-22
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型提供一种SiC MOSFET栅极故障诊断系统以及模拟电路,包括：栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中，对栅极电荷进行在线检测，根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断，并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时，检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值；而当栅极发生开路故障时，检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本实用新型能够快速检测到栅极故障，以便SiC MOSFET应用系统及时停机，从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211930609U
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201921850461.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本实用新型提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，包括：逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元，本实用新型采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流，从而降低短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时，漏极电压VDS将不会下降至导通压降，本实用新型通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级；当SiC MOSFET发生二类短路时，栅极电压VG将会发生突变，形成电压尖峰，本实用新型通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压，可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级。
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公开(公告)号：CN206432901U
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201621336041.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种紧凑型三电平逆变器机芯，所述逆变器机芯包括交流进线铜排(1)、三相整流桥模块（2）、阻容吸收模块（3）、L型母排（4）、支持电容（5）、功率器件（6）、散热基板（7）以及散热基板（8），所述三相整流桥模块（2）交流侧与交流进线铜排(1)相连接，三相整流桥模块（2）直流侧经过阻容吸收模块（3）通过铜排与L型母排（4）直流侧连接，三相整流桥模块（2）通过螺栓与散热基板（7）紧密连接，功率器件（6）等间距的排布再散热基板（7）上，并通过螺栓与散热基板（8）紧密固定，L型母线(4)交流侧与功率器件（6）接线柱相连接，L型母线（4）直流侧与支持电容（5）接线柱相连接，并利用支持电容（5）的排布构造出直流侧正、零、负三电平，散热器基板（7）通过螺栓与散热器（8）相连接。
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公开(公告)号：CN209676209U
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201822039722.4
申请日：2018-12-05
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本实用新型提供一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法，包括：逻辑控制单元，驱动单元，短路保护单元以及漏极电压检测单元。本实用新型通过判断漏极电压是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，当发生一类短路时，栅极将被钳位在较低的驱动电压，依据功率器件的输出特性，短路电流将被抑制，从而降低了短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。此外本实用新型电路不影响正常开通过程，确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206740862U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201621494022.9
申请日：2016-12-31
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT模块内部杂散电感测量装置，其特征在于，所述测量装置包括电源装置、待测IGBT模块、电流探头、电压探头、示波器、脉冲触发装置，可控开关S1、S2、S3、直流电容C1、直流泄放电阻R1、负载电感L1和续流二极管D1，所述可控开关S2和直流泄放电阻R1串联，并与直流电容C1并联，续流二极管D1、可控开关S3与待测IGBT模块串联，脉冲触发装置连接可控开关S3，负载电感L1并联在续流二极管D1的两侧，该装置能够有效评估在IGBT模块关断暂态，内部封装寄生参数的感应电压，根据寄生电感两端的电压和电流计算出封装的杂散电感，更切合实际，可以用来评估IGBT安全裕量，同时也可以验证IGBT模块设计，对半导体厂商和IGBT应用方具有一定的意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211457024U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201922446112.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 一种多电机机群系统驱动控制装置，包括多电机综合控制单元、多个电机控制单元及与多个电机控制单元相对应的变频驱动器；其中，所述多个电机控制单元中，一个设为主电机控制单元，余下设为从电机控制单元；所述多电机综合控制单元与多个电机控制单元通过两组光纤串联连接，所述多个电机控制单元与其变频驱动器连接，所述变频驱动器输出至电机。通过电机控制单元、变频驱动器控制使电机按照统一指令运行，实现了多电机机群的变频驱动控制。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209542769U
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201821617474.0
申请日：2018-10-01
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种基于开通dIds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置，所述测量装置包括采样整流电路、放大电路及数据处理模块；其中，所述采样整流电路用于在SIC MOSFET开通的瞬态时，采集到感应dIds/dt（漏极电流变化率）的感应电压整流得到一个稳定的电压值；所述放大电路用于对采样整流电路的输出电压值进行放大处理；所述数据处理模块用于将放大电路输出的电压值转化为数字信号，用于根据标定的该电压与直流母线电压、结温的关系通过查表来获取实际结温，还用于输出控制采样整流电路进行数据测量的准备信号；该方案解决了现有技术无法实时对SIC MOSFET结温在线快速提取的问题，提出的方案设计简单、易于实现，并且能够达到极快的响应速度。
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公开(公告)号：CN206481230U
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201621336045.7
申请日：2016-12-07
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种双向变流器短路电流整流器件保护装置，其特征在于，所述保护装置包括一套整流器件，功率器件IGBT、钳位二极管以及支撑电容，所述整流器件与功率器件IGBT并联，组成两组不控整流桥臂，所述支撑电容与功率器件IGBT并联。该技术方案可以有效的保证短路电流由整流器件流过，使得流过IGBT续流二极管的电流降低在可承受的范围内，有效的保护IGBT不受损伤。
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公开(公告)号：CN206362890U
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201621486186.7
申请日：2016-12-31
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型涉及一种结温在线监测装置，所述在线监测装置包括主控制单元、待测电力电子器件、电流检测单元、Vce(on)检测单元以及AD采集单元，其中主控制单元包括器件驱动单元和结温计算单元电力电子开关器件，电流检测单元用于采集器件导通状态下流过器件的电流Ic，Vce(on)检测单元用于采集IGBT导通状态下的某一额定时间段的导通压降Vce，通过Vce(on)检测单元内的模拟电路得出等效导通压降信号Vce(on)，AD采集单元完成模拟电流和电压到数字信号的转换，器件驱动单元，用于提供待测器件的门极的驱动信号Vg和Vce(on)检测单元开关信号Vp(mos)，IGBT驱动单元采用数字驱动方式，在IGBT驱动单元中调整IGBT模块门极的开关控制信号Vg与Vce(on)检测单元开关信号Vp(mos)之间的电平变化时序关系。
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