公开(公告)号：CN105714269B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201510964982.0

申请日：2015-12-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  祝基恩 ,  S·金 ,  王彦杰

IPC: C23C16/44

Abstract: 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。

公开(公告)号：CN206401293U

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201621195983.X

申请日：2016-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  P·P·贾 ,  K·尼塔拉

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/68757

Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。

公开(公告)号：CN207925445U

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201720958948.7

申请日：2016-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  P·P·贾 ,  K·尼塔拉

IPC: H01L21/687

Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括一个或多个升降杆，每个升降杆包括第一末端和第二末端，所述第二末端通过轴耦接至所述第一末端，所述第一末端具有平面的顶表面和扩口部分，所述扩口部分设置在所述平面的顶表面与所述轴之间；以及具有基板支撑表面的基板支撑件，所述基板支撑件包括多个通孔，其中所述多个通孔的尺寸被设定为允许所述升降杆穿过，并且每个孔具有外围内表面，所述外围内表面以一斜率设置以使得每个升降杆的所述扩口部分当与所述外围内表面接触时提供0.001密耳至21密耳的所述基板支撑表面与所述平面的顶表面之间的距离。

公开(公告)号：CN209912844U

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201920459396.4

申请日：2019-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·古纳吉 ,  T·A·(麦克)·恩古耶 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  K·朗厄兰德

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/54

Abstract: 本公开内容涉及流体输送组件和用于处理半导体基板的装置。本公开内容关于用于与半导体工艺腔室一起使用的流体输送系统组件。一系列三通阀控制工艺流体导管之间的工艺流体流动，所述工艺流体导管通向所述工艺腔室和转向导管。