公开(公告)号：CN103765562A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041735.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氮材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前驱物（包括三氟化氮及氢气（H2））的组合的远端等离子体形成。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前驱物的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN103748666A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280040443.2

申请日：2012-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN103733317A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280040226.3

申请日：2012-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。

公开(公告)号：CN205984911U

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201620844868.4

申请日：2016-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·徐 ,  Z·陈 ,  A·王 ,  S·T·恩古耶

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统，所述系统包括：第一气体入口；基座，配置成支撑基板；喷淋头，定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板限定第二多个开口；第二气体入口，定位在所述喷淋头处，或定位在所述喷淋头与所述隔板之间；等离子体区域，限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间；基本无等离子体的区域，限定在所述喷淋头与所述隔板之间；基板处理区域，限定在所述隔板与所述基座之间；以及电源，配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。

公开(公告)号：CN204206596U

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201290001108.7

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·N·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 兹提供用于处理腔室的基板支撑件的处理套组组件。在一些实施例中，一种处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.728英寸的直径，而且其中该环形主体具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度；以及多个凸部，该多个凸部位于该环形主体的该顶表面上，该多个凸部中的每一者对称地位于该环形主体周围。