公开(公告)号：CN118398623A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410346192.5

申请日：2024-03-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  高海粟 ,  许静 ,  许滨滨

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、半导体层和第一导电层，半导体层形成于衬底一侧，包括多个源区、多个漏区和多个沟道区，源区和漏区沿虚拟环形交替排布，沟道区位于相邻源区与漏区之间；第一导电层形成于沟道区背离衬底一侧以及衬底一侧，包括控制电极，控制电极与沟道区一一对应。该晶体管中的每个量子点均容易操控，可降低不同量子点的差异，提升晶体管的性能。

公开(公告)号：CN115360230B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202210655638.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

Inventor： 嵇彤 ,  叶甜春 ,  朱纪军 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  赵杰 ,  许静 ,  许滨滨 ,  王国庆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供了LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件，该方法包括：提供基底，基底包括硅衬底、绝缘氧化层、半导体材料层、隔离结构以及硅材料结构，硅衬底具有相邻的第一掺杂区域和第二掺杂区域；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成硅材料层；至少在硅材料层的预定表面上形成HK介质层；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成栅极、源极和漏极。该方法使得关闭状态时漂移区中的大部分电通量流向HK介质层，有助于漂移区耗尽，从而可以增加漂移区的掺杂浓度，在开启状态减小器件的导通电阻，进而解决了现有技术为了得到大的击穿电压，延长漂移区导致器件性能变差的问题。

公开(公告)号：CN117895334A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311767602.5

申请日：2023-12-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  高海粟 ,  许静 ,  李彬鸿

IPC: H01S5/34

Abstract: 本发明涉及一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法。GeSn/SiGe量子阱激光器，其包括由下至上堆叠的：衬底，锗硅缓冲层，P型掺杂锗硅层，P型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；量子阱，量子阱由锗锡层和锗硅层交替堆叠多次而成，并且多个锗锡层中的锡含量由下至上逐层递增，锗锡层中锡质量百分比为6.5％～10％；N型掺杂锗硅层，N型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；氮化硅层。本发明可以明显减少激光器达到粒子反转所需的载流子数目，加强有源区受激辐射，同时弥补单层Ge光增益不高的缺点，有效提升激光器的输出功率。

公开(公告)号：CN116544270A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310440684.6

申请日：2023-04-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  陈博涵 ,  许静

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，用以解决现有中铁电场效应晶体管易出现积累翻转问题。所述铁电栅极叠层自下而上包括依次叠加设置的栅氧层、介质薄层、其他栅介质层；其中，所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有铁电层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有阻变层；或所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有阻变层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有铁电层，本发明通过在铁电栅极叠层中加入阻变层，使得铁电栅极叠层上的电压小于翻转电压时，不易受周围串扰而积累翻转，达到期望的矫顽电压后，正常开启，削弱积累翻转效应。

公开(公告)号：CN116487421A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310641125.1

申请日：2023-05-31

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 许滨滨 ,  叶甜春 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  许静 ,  嵇彤

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本申请实施例公开了一种场效应晶体管及其制作方法，该方法中所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi，所述第二电极层中包括HfO2，从而可以利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，进而减缓硅化物在高温下快速团聚形成高阻NiSi2，提高金属电极中包括镍原子时，场效应晶体管的稳定性，即提高NiSi作为场效应晶体管的金属电极时的稳定性，同时利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，还可以提高所述第一电极层和有源区之间的接触界面的平滑度。

公开(公告)号：CN114512396A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210107875.6

申请日：2022-01-28

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  澳芯集成电路技术(广东)有限公司

Inventor： 许滨滨 ,  叶甜春 ,  朱纪军 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  赵杰 ,  许静 ,  嵇彤 ,  黎婉雯

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了一种金属栅极的制备方法及CMOS器件的制备方法，通过将位于PMOS区域伪栅沟槽以外以及PMOS区域伪栅沟槽内至少槽口处的P型金属功函数层去除掉，使得PMOS区域伪栅沟槽至少槽口处的宽度增大，且PMOS区域伪栅沟槽的顶部高度也减小，从而在很大程度上减小PMOS区域伪栅沟槽的深宽比，主要是减小PMOS区域伪栅沟槽槽口处的深宽比，进而在向PMOS区域的伪栅沟槽内填充金属作为金属栅电极层时，不易在PMOS区域的伪栅沟槽的顶部发生突悬而造成空洞，即改善了向PMOS区域伪栅沟槽内填充金属的填充效果，这将大大增加CMOS器件的可靠性，提高CMOS器件的良品率。

公开(公告)号：CN114361037A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111648572.7

申请日：2021-12-29

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  澳芯集成电路技术(广东)有限公司

Inventor： 嵇彤 ,  叶甜春 ,  朱纪军 ,  李彬鸿 ,  罗军 ,  赵杰 ,  许静 ,  许滨滨 ,  王国庆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供FDSOI衬底，所述FDSOI衬底包括由下至上依次层叠的硅衬底、埋氧化层和顶层硅；在所述FDSOI衬底上定义有源区和隔离区，并在所述隔离区形成隔离结构；在所述FDSOI衬底上定义漂移区，并在部分所述漂移区形成混合区；在含有所述埋氧化层的所述FDSOI衬底内形成第一阱区，在所述漂移区形成第二阱区；在所述第二阱区形成第一埋层和第二埋层，所述第一埋层位于所述埋氧化层与所述第二埋层之间。应用发明提供的技术方案，可以提高LDMOS的击穿电压，同时降低导通电阻，改善器件的漏电流，提高LDMOS的开关特性与耐击穿性，从而提高LDMOS的器件性能。

公开(公告)号：CN112835556A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110117458.5

申请日：2021-01-28

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 崔岩 ,  罗军 ,  杨美音 ,  许静 ,  张骥

IPC: G06F7/58

Abstract: 本发明涉及PP板生产加工领域,公开了一种基于MTJ的真随机数发生器，包括至少一个逻辑单元，每个逻辑单元包括两个输入MTJ和一个输出MTJ，两个输入MTJ先并联，然后再与输出MTJ串联，再产生随机数前，使两个输入MTJ和输出MTJ的存储状态均为高阻态模式，确保电源在输出MTJ上的电压小于第一临界调控电压Vc1,在产生随机数时，改变两个输入MTJ中的至少一个输入MTJ的存储状态，使电源在输出MTJ上的电压大于第一临界调控电压Vc1，这样每当两输入MTJ中的一个存储状态发生变化时，输出MTJ的状态会随机想低阻态模式和高阻态模式变化，且概率均为二分之一，对输出MTJ的存储状态进行检测便可得到一位随机的二进制数据，整体结构简单，不用寻找随机变量。