一种基于NiO/CuO异质结的人工突触器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114094010A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111396198.6

    申请日:2021-11-23

    Abstract: 本申请属于人工突触器技术领域,尤其涉及一种基于NiO/CuO异质结的人工突触器件及其制备方法和应用。本申请提供的一种基于NiO/CuO异质结的人工突触器件施加电压时的阈值电流为1mA,在施加电压幅值为2V,时间间隔为500ms的情况下,循环时间达到330s,且脉冲间隔在0.5‑3s均可实现响应,说明本申请提供的基于NiO/CuO异质结的人工突触器件具有低功耗,高响应速度以及耐受性好的特点,可以解决现有技术中人工突触器件功耗,响应速度以及耐受性有待提高的技术问题。

    一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110098288B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910267910.9

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明属于微电子技术领域,公开了一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法,所述氧化物薄膜器件包括顶电极、氧化物薄膜层、基片层和底电极;所述基片层为p‑Si基片,所述氧化物薄膜层为ZrO2。本发明通过磁控溅射法将氧化物薄膜沉积在基片上,然后分别在薄膜的上面镀上金属顶电极和在基片背面镀上金属底电极,形成金属/氧化物薄膜/半导体器件结构。通过在合适的温度和氧气氛围中退火,制作成该种器件结构,具有明显的二极管效应。

    一种动植物共生系统
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111296348A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010191033.4

    申请日:2020-03-18

    Abstract: 本发明提供了一种动植物共生系统,包括鱼缸、植物箱、浇水装置、换水装置和控制模块,在鱼缸需要换水的时候,控制系统控制浇水装置将鱼缸内的水抽取浇灌到所述植物箱的植物上,由于所述鱼缸内的水中存在鱼的排泄物,使得需要更换的废水含氮,呈弱碱性,而碱性环境是不合适鱼类的生存的,但是大多数的植物都是喜欢碱性的,尤其废水内还富含有氮,能够给到植物施加养料,将鱼缸内的水浇灌到植物箱的植物上,促进了植物的生长,通过换水装置重新通过外部水源将干净的水重新注满鱼缸内,实现了高效的动植物平衡一体的共生,有效的处理了鱼缸内要更换的废水,同时也为植物提供了良好的营养,为鱼与植物创造更好的生存条件。

    一种基于MXene/钇掺杂二氧化铪铁电光电忆阻器的人工突触器件及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117062517A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311170016.2

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/钇掺杂二氧化铪铁电光电忆阻器的人工突触器件、制备方法和应用。本发明是在基片上旋涂钇掺杂二氧化铪薄膜和MXene薄膜作为功能层,再在功能层上镀一层顶电极,形成三明治结构的人工突触器件。本发明的人工突触器件具有更加优秀的电学性质,同时具备铁电特性和光电忆阻器的阻变特性,能够清楚地观测到忆阻现象。本发明人工突触能够模拟重要的突触功能,包括突触权重的增强与抑制、长时程增强(LTP)、长时程抑制(LTD)、脉冲时间依赖可塑性(STDP)等功能,本发明人工突触能够同时实现光、电双模态同时调节电导率。本发明人工突触器件对电脉冲具有极快且敏感的响应,可用于构建人工神经网络系统进行图像识别,在MNIST数据集的识别中,准确率能达到93.5%。同时本发明人工突触器件的制备方法操作步骤简单,原料易得,成本低,耗能少,效率高,易于实施。

    双发射MOF基柔性薄膜荧光传感器及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116660233A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310845436.X

    申请日:2023-07-11

    Abstract: 本申请属于荧光检测技术领域,尤其涉及双发射MOF基柔性薄膜荧光传感器及制备方法和应用;本申请提供的双发射MOF基柔性薄膜荧光传感器通过将荧光染料封装在沸石咪唑酯骨架中、沸石咪唑酯骨架嵌入柔性聚合物中,使得传感器具有染料和ZIF‑8配体两种发光特性,改善了传感器灵敏度,消除了背景干扰,可检测浓度为10‑3~10‑10mol/L的抗生素,从而解决现有技术中荧光检测水体中抗生素的灵敏度和稳定性还有待提高的技术问题。

    一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115312660A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211080520.9

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用,该MXene/NiO异质结的突触器件,包括:基片,所述基片中设置有底部电极,其中,所述基片的上顶面暴露有所述底部电极;覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层,所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层,所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域;位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。本发明中的突触器件对电脉冲具有极快且敏感的响应,具有超低能耗,可用于构建人工神经网络系统。

    一种基于多个测试端口的多功能闪存测试架

    公开(公告)号:CN114360626A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111619955.1

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明实施例涉及一种基于多个测试端口的多功能闪存测试架,包括:移动终端、闪存测试装置和多个测试连接端;移动终端用于操控闪存测试装置的运行;测试连接端用于与待测闪存存储设备连接;闪存测试装置用于对与每个测试连接端连接的待测闪存存储设备进行性能测试。该多功能闪存测试架通过在闪存测试装置上设置有与待测闪存存储设备的测试连接端,之后通过闪存测试装置对不同类型的待测闪存存储设备进行性能测试,实现对不同闪存芯片进行性能测试,与现有一种闪存芯片制作一种闪存测试架相比,能够减少生产厂家制作闪存测试架的成本,扩宽了该多功能闪存测试架测试产品的兼容性,使得该基于多个测试端口的多功能闪存测试架适用性更强。

    一种导电复合材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN110344237A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910555697.1

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本发明涉及柔性电子材料技术领域,尤其涉及一种导电复合材料及其制备方法与应用。本发明中,导电复合材料的导电材料与基体熔合,使得导电材料与基体产生强分子键,从而增强了导电材料与基体的结合力,导电材料不易脱落,使得导电复合材料耐用性和重复性好,导电复合材料的导电性相对增强。该导电复合材料对不同的应力具有较高的灵敏度,且循环2000次,相对电导变化也呈现循环性,应变加载和卸载时的滞回不显著,稳定性和可靠性好。因此,该导电复合材料可以作为可穿戴的柔性应力传感器件应用于医疗设备及实时监测人体健康状况和不同部位的应力变化。

    基于钕掺杂的钛酸铋薄膜的铁电场效应晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN105826389A

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201610292140.X

    申请日:2016-05-05

    CPC classification number: H01L29/78391 H01L21/28 H01L29/6684

    Abstract: 基于钕掺杂的钛酸铋薄膜的铁电场效应晶体管,其结构为Pt金属/钕掺杂的钛酸铋/二氧化铈/Si构成金属?铁电层?绝缘层?半导体结构铁电场效应晶体管,其制备方法为:采用射频磁控溅射法在清洗后p掺杂的Si基片上沉积厚度约10 nm的二氧化铈作为绝缘栅层;然后采用溶胶?凝胶工艺制备钕掺杂的钛酸铋铁电薄膜;刻蚀掉源区和漏区上方的BNT及CeO2层,得到源、漏电极窗口,利用掩膜版并采用直流磁控溅射方法镀Pt金属层得到源、漏、栅极。本发明有效地克服了一般铁电存储场效应器件界面特性差、易疲劳的缺点,使信息存储窗口增大、存储时间延长;本发明制作工艺简单,且有效地提高器件的成品率,并能与标准IC工艺兼容。

Patent Agency Ranking