一种增强Lu2O3基深紫外光伏探测器性能的制备方法

    公开(公告)号:CN115632091A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211342185.5

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种增强氧化镥(Lu2O3)基深紫外光伏探测器性能的制备方法。在制备Lu2O3基深紫外光电探测器时,对采用溶液法合成的Lu2O3薄膜进行热退火处理,使得薄膜具有更高的紫外‑可见透射率、更陡峭的吸收截止边以及更致密的横断面形貌。基于该退火Lu2O3薄膜构建的Lu2O3/GaN深紫外探测比基于原生Lu2O3薄膜构建的Lu2O3/GaN深紫外探测器具有更快的响应速度。本发明方法具有工艺简单、无需昂贵生长设备和生产成本低等优点,相较于传统的低温溶液法,能够有效提高Lu2O3薄膜的质量,且基于该方法合成的薄膜制备的Lu2O3基深紫外光电探测器相较于同类探测器具有更优异的探测性能。

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