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公开(公告)号：CN101034256B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN101034256A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1311304C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03149913.9
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/11543 , Y10S430/11
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
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公开(公告)号：CN1821871A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610005432.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN101135849B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200710146875.2
申请日：2007-08-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/14 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种材料，其包括：由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c我 通式(1)其中R1代表单价有机基团，氢原子和羟基中的至少一个，R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上，且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团)，“t”代表1～3的整数，“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同时为0)，且(R1tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102455599B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110226683.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/04 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本发明还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102681338B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210020305.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/405 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。通式(1)。
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公开(公告)号：CN102265221B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200880132520.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供能够在被加工面上形成超过目前曝光光源的曝光极限(析像分辨极限)的图案尺寸的图案的图案形成方法和半导体装置制造方法、以及抗蚀剂图案的被覆层的形成材料。本发明的图案形成方法，其特征在于，包含形成第1抗蚀剂图案的第1抗蚀剂图案形成工序；以覆盖所述第1抗蚀剂图案表面的方式，形成由被覆材料得到的被覆层的被覆层形成工序；以及形成第2抗蚀剂图案的第2抗蚀剂图案形成工序。
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公开(公告)号：CN102455599A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110226683.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/04 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本发明还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102265221A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880132520.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供能够在被加工面上形成超过目前曝光光源的曝光极限(析像分辨极限)的图案尺寸的图案的图案形成方法和半导体装置制造方法、以及抗蚀剂图案的被覆层的形成材料。本发明的图案形成方法，其特征在于，包含形成第1抗蚀剂图案的第1抗蚀剂图案形成工序；以覆盖所述第1抗蚀剂图案表面的方式，形成由被覆材料得到的被覆层的被覆层形成工序；以及形成第2抗蚀剂图案的第2抗蚀剂图案形成工序。
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