公开(公告)号：CN116013914A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211004673.5

申请日：2022-08-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 村田悠马 ,  加藤辽一 ,  多田慎司

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实现能够确保绝缘距离并且降低电感的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块包括设置在第一壳体的第一绝缘纸、设置于它们之间的第一端子、以及设置在第一绝缘纸的与第一端子侧相反的一侧的第二端子。在俯视时，第一绝缘纸在方向上具有第一宽度，且具备更小的第二宽度的切口部。第一端子在俯视时以连接区域位于切口部的状态被第一绝缘纸覆盖，并在方向上具有比第一宽度小且比第二宽度大的第三宽度。第二端子位于比连接区域更靠壳体的内侧的位置。将第一端子设为比与连接区域和第二端子分别连接的电容器的正负极端子的宽度宽，确保绝缘距离并且降低电感。

公开(公告)号：CN115483174A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210456739.8

申请日：2022-04-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中込旭人 ,  加藤辽一 ,  村田悠马

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体模块，能够实现电力被供给的端子的绝缘性的提高。半导体模块具备：负极端子，其与直流电力的负极性侧连接；正极端子，其以使负极端子的包括一端的露出部露出的状态配置于负极端子的上方，正极端子与直流电力的正极性侧连接；绝缘片，其以在负极端子的一端与正极端子的一端之间露出露出部的状态配置于负极端子与正极端子之间，将负极端子与正极端子绝缘；以及第一电介质部，其以至少覆盖正极端子的一端的与绝缘片接触的角部的方式形成。

公开(公告)号：CN113937080A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110742999.7

申请日：2021-07-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体模块(100)等。半导体模块(100)在载置有半导体芯片(1)的层叠基板(5)与冷却器(30)之间设置有导热部(20)。导热部(20)具备框体(21)和开口部(22)，开口部(22)具有润滑脂部(22a)和空间部(22b)，润滑脂部(22a)局部地设置在开口部(22)内且与层叠基板(5)和冷却器(30)接触；空间部(22b)局部地设置在润滑脂部(22a)与框体(21)之间且该空间部设置成带状。

公开(公告)号：CN113053843A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011355736.2

申请日：2020-11-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  池田良成 ,  村田悠马

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有能够降低电感的连接机构。电容器具有包括电容器元件的壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于第一连接端子与第二连接端子之间的第二绝缘片，第一连接端子、第二绝缘片和第二连接端子从壳体向外部延伸出。半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘片和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部。该第一功率端子具有与第一连接端子导电连接的第一接合区，该第二功率端子具有与第二连接端子导电连接的第二接合区，该第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。

公开(公告)号：CN111699554A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980011462.4

申请日：2019-07-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 加藤辽一 ,  乡原广道 ,  池田良成 ,  宫下朋之 ,  立石义博 ,  沼田俊介

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提供一种冷却器和半导体模块。使用该冷却器和半导体模块，流体的冷却效率高，压力损失低。冷却器(7)冷却半导体元件(1a，1b)，并具有至少由板状散热片(7d1)(顶板)和板状散热片(7d6)(底板)构成的流路部(7d')，在顶板和底板之间形成供流体流动的连续的槽状流路。从与顶板平行且相对于流路交叉的方向观察流路部(7d')时，流路形成为流路的顶板侧的表面及底板侧的表面同步地向顶板侧及底板侧弯折的波形形状。

公开(公告)号：CN105612614B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201580002155.1

申请日：2015-02-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤隆 ,  加藤辽一 ,  西村芳孝 ,  百濑文彦

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。

公开(公告)号：CN106062949B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201580011314.4

申请日：2015-07-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  山田教文 ,  乡原广道

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014

Abstract: 具备：绝缘电路基板(13)，其在基板(4)的正面具备电路层(3)，在基板(4)的背面具备金属层(5)；半导体元件(1)，其与电路层(3)电连接；冷却器(7)，其具有：具备与金属层(5)接合的平面的顶板部(7a)、与顶板部(7a)对置配置的底板部(7c)、连接顶板部(7a)的周围与底板部(7c)的周围的侧壁部(7b)以及连接顶板部(7a)与底板部(7c)的散热片部(7d)，顶板部(7a)的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下，并且顶板部(7a)和底板部(7c)的总计厚度为3mm以上且6mm以下；以及焊料层(6)，其在200℃以上且350℃以下的温度下熔融，使顶板部(7a)与金属层(5)接合。

公开(公告)号：CN106062949A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011314.4

申请日：2015-07-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  山田教文 ,  乡原广道

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014

Abstract: 具备：绝缘电路基板(13)，其在基板(4)的正面具备电路层(3)，在基板(4)的背面具备金属层(5)；半导体元件(1)，其与电路层(3)电连接；冷却器(11)，其具有：具备与金属层(5)接合的平面的顶板部(11a)、与顶板部(11a)对置配置的底板部(11c)、连接顶板部(11a)的周围与底板部(11c)的周围的侧壁部(11b)以及连接顶板部(11a)与底板部(11c)的散热片部(11d)，顶板部(11a)的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下，并且顶板部(11a)和底板部(11c)的总计厚度为3mm以上且6mm以下；以及焊料层(6)，其在200℃以上且350℃以下的温度下熔融，使顶板部(11a)与金属层(5)接合。

公开(公告)号：CN105612614A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201580002155.1

申请日：2015-02-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤隆 ,  加藤辽一 ,  西村芳孝 ,  百濑文彦

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。