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公开(公告)号：CN116609405A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310586289.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/30 , G01N27/416 , G01N1/38
Abstract: 本发明系一种定量分析表没食子儿茶素没食子酸酯（EGCG）的方法，其特征在于:应用“H2SO4‑KIO3‑[NiL](ClO4)2‑MA(丙二酸)‑H2O2”非线性化学振荡体系作为检测溶液，利用不同浓度的EGCG对振荡图谱的特征响应（抑制时间）不同，建立起被测物浓度与抑制时间之间关联的工作曲线，进而实现对EGCG的定量分析。[NiL](ClO4)2中L为5,7,7,12,14,14‑六甲基‑1,4,8,11‑四氮杂环十四‑4,11‑二烯。本发明所涉及的EGCG的定量分析方法具有准确度高、易于操作和方便快捷等特点。
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公开(公告)号：CN116593550A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310592302.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明系一种定量分析对葛根素的方法，其特征在于：应用“H2SO4‑KIO3‑[NiL](ClO4)2‑MA（丙二酸）‑H2O2”非线性化学振荡体系作为检测溶液，利用不同浓度的葛根素对振荡图谱的特征响应（抑制时间）不同，建立起被测物浓度与抑制时间之间关联的工作曲线，进而实现对葛根素的定量分析。[NiL](ClO4)2中L为5,7,7,12,14,14‑六甲基‑1,4,8,11‑四氮杂环十四‑4,11‑二烯。本发明所涉及的葛根素的定量分析方法具有准确度高、易于操作和方便快捷等特点。
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公开(公告)号：CN114826179B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210461592.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 安徽大学
Abstract: 一种基于协同融合的毫米波限幅滤波器芯片，属于微波无源器件技术领域，解决现有技术中采用50欧姆传输线级联限幅器和滤波器的方法存在的功率容量低、小信号插入损耗高以及电路尺寸大的问题；本发明技术方案中的限幅滤波器的第一级限幅电路在瞬态限幅状态下反射高功率微波信号，在稳态滤波状态下产生滤波通带和滤波通带左侧的一个传输零点，半集总并联谐振器和π型结构分别在滤波通带两侧各引入一个传输零点，实现了限幅器与滤波器的协同融合设计；相较于传统的采用50欧姆传输线级联限幅器和滤波器的方法，本发明的基于协同融合的限幅滤波器在保持高功率容量的同时减小射频前端的插入损耗和电路面积，提高了射频前端集成度和稳定性。
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公开(公告)号：CN119153476A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411173196.4
申请日：2024-08-26
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L27/144 , G01R15/22 , H01L31/0232 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种环形轴对称结构的行波光电探测器，包括均布分布在环形传输线上的多个PD，所述环形传输线的两端接有GSG行波电极，且整体呈轴对称结构；光信号经光波导输入端的光栅耦合器进入光波导，且光波导采用多级一分二的功率分束器进行分光，并连接至PD；所述GSG行波电极两层介质结构包括硅衬底和生长在硅衬底顶部的二氧化硅层，所述二氧化硅层的上部是薄硅层，所述薄硅层上面覆盖两层二氧化硅层；所述GSG行波电极的地电极通过通孔接有第一金属层M1，GSG行波电极的信号电极通过通孔接有第二金属层M2。该发明无需增加额外工艺步骤，加工容易，与CMOS工艺完美兼容，可同时提高器件的带宽、饱和输出功率及整体性能。
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公开(公告)号：CN119133332A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411273720.5
申请日：2024-09-12
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明实施例提供一种可提高空穴注入率发光二极管，涉及半导体光电子器件技术领域。该可提高空穴注入率发光二极管包括衬底，在衬底上依次生长的GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光区、电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层和p型GaN层分别为n型和p型故意掺杂层。本发明实施例所述进入有源区的电子阻挡层，通过调节组分，可以利用量子阱的极化效应形成电子阻挡层结构的单极阻挡结构，有效阻档电子泄漏，而不影响空穴的注入效率。消除电子阻挡层价带空穴势垒，解决因极化导致的低空穴注入效率问题；同时进一步提高电子阻挡层势垒的高度，提高电子阻挡效率，即形成只对电子有限制作用的单极阻挡结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118225820A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410257943.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N23/20 , G01N27/416
Abstract: 一种区分金属离子Cd2+和Mn2+的方法，该方法应用“脲酶‑CO(NH2)2‑H2SO4”pH时钟反应体系作为区分溶液，根据Cd2+、Mn2+与尿素水解产物CO2所形成的CO32‑结合时，生成的碳酸盐的沉淀不同，使得它们对pH时钟体系图谱影响不同，从而实现对于Cd2+和Mn2+的定性分析。本发明所涉及的对Cd2+和Mn2+的定性分析方法具有准确度高、易于操作和方便快捷等特点。
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公开(公告)号：CN117410369A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311228298.7
申请日：2023-09-21
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器，属于半导体光电子器件领域，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型欧姆接触层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极，缓冲层设置在衬底上，N型欧姆接触层设置在缓冲层上，吸收层和N型欧姆接触电极均设置在N型欧姆接触层上，N型欧姆接触电极为环形，且吸收层位于N型欧姆接触电极的环内，吸收层为补偿掺杂的电势分布满足拉普拉斯方程的半导体介质层，P型欧姆接触层设置在吸收层上，P型欧姆接触电极设置在P型欧姆接触层上，探测器的工作模式为背照射，通过在吸收层进行补偿掺杂中和掉背景掺杂浓度，能够提高紫外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN116892030A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310906445.5
申请日：2023-07-24
Applicant: 安徽大学
IPC: C25B1/23 , C25B1/50 , C25B11/075 , C25B11/054 , C25B11/065 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种具有高弯曲结构的碳负载钴单原子催化剂及其在电催化还原二氧化碳中的应用。所述具有高弯曲结构的碳负载钴单原子催化剂是以具有高曲率结构的纳米洋葱碳作为催化剂的碳载体，钴原子以金属单原子的形式均匀的存在纳米洋葱碳上所获得的碳负载钴单原子催化剂。本发明具有高弯曲结构的碳负载钴单原子催化剂在较宽的电压范围内都具有优秀的电催化还原二氧化碳的性能，在电催化还原二氧化碳领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115032256A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210534252.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 一种区分白杨素及其同分异构体3，4’‑二羟基黄酮的方法，其特征在于：应用“H2SO4‑KIO3‑[NiL](ClO4)2‑丙二酸‑H2O2”化学振荡体系作为区分溶液，根据白杨素及3,4’‑二羟基黄酮对该体系振荡的影响不同，从而实现白杨素及3,4’‑二羟基黄酮的区分。本发明所涉及的区分方法所提供的电位振荡图谱具有直观性，可以方便快捷地区分出白杨素及3,4’‑二羟基黄酮，而且设备简单、准确度高、易于操作和观察。
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公开(公告)号：CN114826178A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210461011.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 安徽大学
Abstract: 一种基于混合π型拓扑的宽带低插损限幅器芯片，属于微波无源器件技术领域，解决现有微波限幅器的小信号插入插损高、工作带宽窄及尺寸大问题；通过具有容性加载的混合π型结构替代限幅电路间的四分之一波长传输线，两个混合π型结构中的第一、第二渐变U形传输线电长度远小于90°且做弯折处理，减小了限幅器芯片面积；第一级限幅电路减小了总等效电容，从而减小插入插损；传输线电长度缩短，其物理长度相应缩短，减小插入插损；两个混合π型结构中，各级限幅电路总关断电容被吸收到混合π型结构中，使得限幅器在小信号时等效为一段准50欧姆传输线模型，从而消除加载在传输通道上的关断电容容抗对阻抗匹配的影响，拓展了限幅器的工作带宽。
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