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公开(公告)号：CN119133332A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411273720.5
申请日：2024-09-12
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明实施例提供一种可提高空穴注入率发光二极管，涉及半导体光电子器件技术领域。该可提高空穴注入率发光二极管包括衬底，在衬底上依次生长的GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光区、电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层和p型GaN层分别为n型和p型故意掺杂层。本发明实施例所述进入有源区的电子阻挡层，通过调节组分，可以利用量子阱的极化效应形成电子阻挡层结构的单极阻挡结构，有效阻档电子泄漏，而不影响空穴的注入效率。消除电子阻挡层价带空穴势垒，解决因极化导致的低空穴注入效率问题；同时进一步提高电子阻挡层势垒的高度，提高电子阻挡效率，即形成只对电子有限制作用的单极阻挡结构。
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