公开(公告)号：CN117375617A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311426060.5

申请日：2023-10-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王甲飞 ,  俞书航 ,  杜妍 ,  李文浩 ,  郭益新 ,  李超凡 ,  石冰清 ,  强斌 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H03M1/12 ,  H04N25/40

Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域，更具体的，涉及一种用于CMOS图像传感器的两步式列级模数转换器。本发明的两步式列级模数转换器包括：公共开关模块、斜坡发生器、N个相同结构的列级电路单元。本发明将快闪ADC和单斜ADC进行电路结构和功能上的融合，一方面基于快闪ADC功能状态对信号电压Vsig进行粗量化并存储在存储电容中、将高2位数字码转换结果存入锁存器，另一方面，基于单斜ADC功能状态对信号电压Vsig进行细量化得到低10位数字码并存入静态存储器，从而完成对12bit的整个转换。本发明的转换器可以缩短量化时间，并提高转换速度，解决了现有传统单斜ADC转换速度低、量化时间长、转换周期长的问题。

公开(公告)号：CN117714907A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410170097.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  李超凡 ,  俞书航 ,  杜妍 ,  李文浩 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H04N25/772 ,  H04N25/778

Abstract: 本发明涉及滤波器设计技术领域，具体涉及用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块。本发明提供了一种用在CMOS图像传感器的FIR滤波器，包括：1个全局计数器、N列列级电路。本发明公开的FIR滤波器通过优化电路结构实现N列列级电路共享使用全局计数器，大大减少了晶体管数量与版图面积。经过实验对比，本发明的用在CMOS图像传感器的FIR滤波器相较于现有传统FIR滤波器，晶体管数量降幅约30%。本发明解决了现有CMOS图像传感器使用的传统FIR滤波器面积偏大的问题。

公开(公告)号：CN117713835A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410165401.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  郭益新 ,  杜妍 ,  陈福刚 ,  李文浩 ,  俞书航 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H03M1/46 ,  H04N25/772 ,  H03M1/56

Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种两步式列级低噪声CIS的模数转换器及CIS芯片。该电路中包括：SAR‑ADC单元、SS‑ADC单元、自适应采样控制单元和数据处理单元。其中，SAR‑ADC单元用于粗量化出Vin的高N位。SS‑ADC单元采用相关多重采样技术细量化出Vin的低M位。自适应采样控制单元包括一个选通电路和一个锁存器。锁存器锁存粗量化结果的最高位，将其作为环境光检测结果，并控制选通电路选通斜坡发生器传输到电路中的斜坡信号数量，进而调整SS‑ADC单元的重复采样次数。本发明克服了现有DCMS‑ADC电路需要多个斜坡发生器以及与环境光检测相关的逻辑电路，进而导致电路的集成度降低、功耗增加的问题。

公开(公告)号：CN117410369A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311228298.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 许伊曼 ,  王俊 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供了一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器，属于半导体光电子器件领域，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型欧姆接触层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极，缓冲层设置在衬底上，N型欧姆接触层设置在缓冲层上，吸收层和N型欧姆接触电极均设置在N型欧姆接触层上，N型欧姆接触电极为环形，且吸收层位于N型欧姆接触电极的环内，吸收层为补偿掺杂的电势分布满足拉普拉斯方程的半导体介质层，P型欧姆接触层设置在吸收层上，P型欧姆接触电极设置在P型欧姆接触层上，探测器的工作模式为背照射，通过在吸收层进行补偿掺杂中和掉背景掺杂浓度，能够提高紫外探测器的性能。

公开(公告)号：CN117713835B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410165401.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  郭益新 ,  杜妍 ,  陈福刚 ,  李文浩 ,  俞书航 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H03M1/46 ,  H04N25/772 ,  H03M1/56

Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种两步式列级低噪声CIS的模数转换器及CIS芯片。该电路中包括：SAR‑ADC单元、SS‑ADC单元、自适应采样控制单元和数据处理单元。其中，SAR‑ADC单元用于粗量化出Vin的高N位。SS‑ADC单元采用相关多重采样技术细量化出Vin的低M位。自适应采样控制单元包括一个选通电路和一个锁存器。锁存器锁存粗量化结果的最高位，将其作为环境光检测结果，并控制选通电路选通斜坡发生器传输到电路中的斜坡信号数量，进而调整SS‑ADC单元的重复采样次数。本发明克服了现有DCMS‑ADC电路需要多个斜坡发生器以及与环境光检测相关的逻辑电路，进而导致电路的集成度降低、功耗增加的问题。

公开(公告)号：CN116825875A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310769779.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  许伊曼 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接，光进入硅波导以后进入锗吸收层，锗吸收层用于对光信号的吸收，所有的掺杂都位于硅掺杂层；本发明的优点在于：所有的掺杂都位于硅掺杂层并采用共信号电极设计，从而避免光电探测器响应度下降及降低光电探测器设计和工艺加工难度。

公开(公告)号：CN117714907B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410170097.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  李超凡 ,  俞书航 ,  杜妍 ,  李文浩 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H04N25/772 ,  H04N25/778

Abstract: 本发明涉及滤波器设计技术领域，具体涉及用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块。本发明提供了一种用在CMOS图像传感器的FIR滤波器，包括：1个全局计数器、N列列级电路。本发明公开的FIR滤波器通过优化电路结构实现N列列级电路共享使用全局计数器，大大减少了晶体管数量与版图面积。经过实验对比，本发明的用在CMOS图像传感器的FIR滤波器相较于现有传统FIR滤波器，晶体管数量降幅约30%。本发明解决了现有CMOS图像传感器使用的传统FIR滤波器面积偏大的问题。

公开(公告)号：CN117420872A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311231097.2

申请日：2023-09-22

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  石冰清 ,  李超凡 ,  李文浩 ,  刘天翔 ,  彭春雨 ,  戴成虎 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属于电路技术领域，具体涉及一种低温漂高性能的带隙基准电路及电压基准模块。其包括第一启动电路、带隙基准核心电路和曲率补偿电路。第一启动电路用于在电路启动时将运放输出点电压拉低，使带隙基准电路摆脱由简并点引起的0电流状态。带隙基准核心电路由6个PMOS管M1～M6、2个PNP晶体管Q1～Q2、2个电阻R0～R1，以及运算放大器OP1构成，用于生成所需的低温漂的基准电压Vref。曲率补偿电路由2个PMOS管M7～M8、1个PNP晶体管Q3，以及两个电阻R2～R3构成；用于实现对带隙基准电路中的温漂系数进行高阶补偿。本发明解决现有带隙基准源无难以在低温漂和高性能等多项指标上实现均衡的问题。

公开(公告)号：CN117176137A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311228870.X

申请日：2023-09-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  舒星龙 ,  俞书航 ,  李文浩 ,  郭益新 ,  强斌 ,  彭春雨 ,  卢文娟 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明属于数字逻辑电路领域，具体涉及一种稳定的高速锁存电路、锁存器及集成电路。锁存电路用于实现数据的快速传输和稳定保持。电路由12个晶体管构成，分别为6个PMOS管PM1～PM6，以及6个NMOS管NM1～NM6。PM1和NM1构成第一反相器，PM2和NM2构成第二反相器；PM3和NM3作为耦合切换开关对，耦合切换开关对用于根据使能信号调整第一反相器和第二反相器的耦合状态。PM4～PM6和NM4～NM6分别作为第一采样电路和第二采样电路；二者用于调整输入信号与反相器的隔离状态，并在传输模式下将不同电平状态的数据传输至输出节点。本发明解决了现有锁存器的传输速率和稳定性等性能无法满足CMOS图像传感器等高速电路的需求的问题。

公开(公告)号：CN220155555U

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202321654063.X

申请日：2023-06-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  许伊曼 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02

Abstract: 本实用新型公开了一种片上集成的微波光子探测器，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接；本实用新型的优点在于：光电探测器设计过程简单。