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公开(公告)号:CN115161027B
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202210782601.7
申请日:2022-07-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用,所述钙钛矿埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有纳米级的量子点结构;MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs,Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面,Sn、O、Ti和C元素的含量分别为20‑25%、70‑75%、1‑2%和0‑1%。本发明有效地提高了器件的导电性、稳定性以及各项性能,显著降低了钙钛矿层的缺陷与空位。为钙钛矿器件的发展提供了新思路,在未来的通信、航天、农业等领域的探测等方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN116666465A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310633527.7
申请日:2023-05-31
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/108 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器,其包括具有金字塔结构的硅基底和覆盖在硅基底上表面的MXene薄膜,MXene薄膜的覆盖面积为硅基底上表面的5%‑75%,在未覆盖有MXene薄膜的硅基底上表面设置InGa电极,InGa电极与MXene薄膜不接触;所述金字塔结构尺寸不同交错排列,MXene与金字塔结构的硅形成肖特基结。本发明提供一种简单且可重复的碱性溶液水浴加热的方式得到金字塔结构硅基底的方法和使用低成本滴涂的方式将MXene转移到金字塔结构硅基底上制作MXene/金字塔结构硅衬底的光电探测器。这种具有自供电且性能优越的光电探测器,为基于MXene/Si肖特基结结构在光电探测器中的应用开拓了前景。
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公开(公告)号:CN115340103B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202211061442.8
申请日:2022-09-01
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种硼烯‑铋烯衍生的微纳拓扑结构柔性电极与制备方法及其在超级电容型压力传感器的应用。硼烯‑铋烯衍生的微纳拓扑结构柔性电极主要由内部层的铋烯骨架、中间层的BiOCl、Bi2O3和外部层的二维硼烯复合而成,其制备方法包括:1)内部层的铋烯骨架的制备;2)中间层的BiOCl和Bi2O3的形成;3)外部层的二维硼烯的覆盖。还提供了一种可穿戴柔性压力传感器的制备方法,包括以下步骤:1)再生蚕丝蛋白的制备;2)聚合水凝胶前驱体的制备;3)单电极的组装;4)双电极的组装。该压力传感器在50~150Pa范围内具有1.6kPa‑1超高灵敏度,最小检测力低至0.59Pa,超过10000个周期的耐久度。
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公开(公告)号:CN119230975A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202411429775.0
申请日:2024-10-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于储能技术领域,具体涉及微型电池技术,尤其涉及一种柔性钾离子微型电池及其制备方法。本发明所提供的一种柔性钾离子微型电池,主要由KFeMnHCF(铁取代富锰普鲁士蓝)正极、PTCDI/MXene负极和KCF3SO3‑PAM(三氟甲烷磺酸钾‑聚丙烯酰胺)水凝胶电解质构成。本发明的技术方案比传统的锂离子微型电池有着更好的电化学性能,在5.0mA cm‑2下经过2500次GCD循环后89.17%的超高循环寿命。以及较高的能量密度(202.81μWh cm‑2)和功率密度(7.99 mW cm‑2)。本发明的柔性钾离子微型电池因其高安全、小型化、低成本的特点,使得其更便于应用在可穿戴设备和集成电子产品中,在储能设备中的应用前景广阔。
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公开(公告)号:CN119153571A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411644823.8
申请日:2024-11-18
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法,属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层,在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层,具有本征紫外吸收和良好的稳定性;宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结,pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离,因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。
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公开(公告)号:CN118402795A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410488127.6
申请日:2024-04-23
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种多层二维复合电极、其制备方法、封装方法与应用。多层二维复合电极是Si/Ag/硼烯/铋烯/MXene/TiO2/P2O3/黑磷结构。多层二维复合电极的制备方法包括以下步骤:1)制作Si/Ag基底;2)制作Si/Ag/硼烯/铋烯电极;3)制作Si/Ag/硼烯/铋烯/MXene/TiO2电极;4)制作Si/Ag/硼烯/铋烯/MXene/TiO2/P2O3/黑磷电极;该多层二维复合电极在使用200~300mW的400~430nm蓝紫激光提供光源的情况下,在0.3V(相对饱和甘汞电极)偏压下平均瞬态电流密度为129μA·cm‑2。本发明的复合检测芯片的2.5D叠层封装方法减小了芯片整体体积的同时降低了芯片的功耗。芯片由传感器模块、光器件模块、微处理器模块、电源管理模块、无线收发模块构成,同时为能够进行肌电感知的可穿戴智能监测提供了新的方式,并有望在智能机器人中应用。
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公开(公告)号:CN118150664A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410264041.5
申请日:2024-03-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/333 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开一种“石墨烯‑ZIF‑8”复合结构、制备方法、2.5D chiplet封装方法及应用。“石墨烯‑ZIF‑8”为堆叠的交叉包覆结构,其中,多面体的ZIF‑8颗粒被其上层的石墨烯所包覆,组成了更大比表面积的三维多孔复合结构。基于“石墨烯‑ZIF‑8”复合结构的NH4+选择电极,具有NH4+选择膜/“石墨烯‑ZIF‑8”复合结构/Zn/Ag/Si结构。此选择电极用于检测NH4+时,线性检测范围为1.0×10‑8~1.0×10‑4M,具有3.0nM的最低检测限,灵敏度为9.3×10‑3μA·μM‑1。并且本发明公开一种NH4+浓度的检测方法、检测装置及在运动中检测汗液信息的便携式健康管理芯片。健康管理芯片采用2.5D的chiplet封装形式,用于汗液中NH4+浓度的实时分析,在智能可穿戴设备中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN115020120B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202210585330.6
申请日:2022-05-26
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种复合型交错堆叠插层结构石墨烯‑铋烯气凝胶、制备方法及应用。本发明使铋烯薄片插入到石墨烯片层中,实现了交错堆叠插层结构,其中,每单位厘米厚度上存在80~100个微小单元,且每个微小单元由堆叠的800~900层单层石墨烯与堆叠的80~100层单层铋烯交错构成。本发明的石墨烯‑铋烯气凝胶具有高弹性可压缩性能,在1.5~4.5kPa的应力范围内,具有0.326kPa‑1的高灵敏度;具有稳定的应变‑电响应和超灵敏的检测极限,有效检测低压;具有超级电容特性,在400W·Kg‑1时提供45.55Wh·Kg‑1的能量密度,即使在3600次充放电循环后,循环稳定性也达到89.24%。
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公开(公告)号:CN116390605A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310278087.8
申请日:2023-03-21
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种酞菁铜/倒金字塔形钙钛矿异质结光电探测器及制备方法,包括步骤:1)刻蚀出具有金字塔形表面微结构的硅片,作为生长钙钛矿单晶的基底;2)制备钙钛矿溶液,利用硅片和玻璃片作为限制生长区域的框架,利用种子生长法、空间限域法和逆温结晶法相结合的生长方法制备表面金字塔形的钙钛矿单晶;3)利用热蒸发在钙钛矿单晶表面蒸镀酞菁铜薄膜形成异质结,然后利用导电碳浆作为上下电极制备光电探测器。本发明制备的光电探测器在常温常压下稳定,同时在高湿度的环境下相对于对照组器件具有较好的光电响应,同时器件具有良好的长时间湿度稳定性,对未来海上,舰船,海岛等高湿度环境下的高性能光电探测领域具有指导意义。
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公开(公告)号:CN115295730A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210986661.0
申请日:2022-08-17
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法,包括以下步骤:1)采用逆温结晶法获得α‑FAPbI3单晶种子,并利用逆温结晶法结合种子限域法将所得α‑FAPbI3单晶种子生长成α‑FAPbI3单晶薄片;2)利用逆温结晶法结合种子限域法通过液相外延工艺在所述的α‑FAPbI3单晶薄片上外延生长MAPbI3单晶薄片,形成环形的横向单晶异质结,横向单晶异质结上表面的两侧使用金属Ag作为顶部电极。本发明解决了垂直器件导致的入射光损失、界面上的大量缺陷问题,还能解决在液相外延生长时选取溶液的不同极性可能对上一阶段生长的钙钛矿造成大范围侵蚀和溶解的问题,且制备的光电探测器性能优越。
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