公开(公告)号：CN116666465A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310633527.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 安徽大学

Inventor： 桂鹏彬 ,  赵远方 ,  李言辉 ,  孙言明 ,  王思亮 ,  曾玮 ,  陈志亮 ,  黄志祥

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器，其包括具有金字塔结构的硅基底和覆盖在硅基底上表面的MXene薄膜，MXene薄膜的覆盖面积为硅基底上表面的5％‑75％，在未覆盖有MXene薄膜的硅基底上表面设置InGa电极，InGa电极与MXene薄膜不接触；所述金字塔结构尺寸不同交错排列，MXene与金字塔结构的硅形成肖特基结。本发明提供一种简单且可重复的碱性溶液水浴加热的方式得到金字塔结构硅基底的方法和使用低成本滴涂的方式将MXene转移到金字塔结构硅基底上制作MXene/金字塔结构硅衬底的光电探测器。这种具有自供电且性能优越的光电探测器，为基于MXene/Si肖特基结结构在光电探测器中的应用开拓了前景。