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公开(公告)号：CN103269975B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180062854.7
申请日：2011-07-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B33/02 , B22C1/00 , B22C3/00 , C01B21/068
CPC classification number: B29C33/54 , B29C33/58 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱膜材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料，由此可以抑制硅铸锭和铸模表面的粘固，抑制在对凝固的硅铸锭进行脱模时发生缺损、破损，以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，具备浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末在水中混合而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下以800℃～1200℃对铸模进行加热。
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公开(公告)号：CN104145003A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380011911.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/502 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种氧氮化物荧光体，其具有580～605nm的荧光峰值波长，外量子效率比以往高。本发明的氧氮化物荧光体粉末是由下述组成式表示的、含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体。本发明还提供上述氧氮化物荧光体的制造方法。Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z为0＜x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0＜y≤2.3和1.5≤z≤3.5，或者，x1、x2、y、z为0＜x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5)
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公开(公告)号：CN104087291A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410206550.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883
Abstract: 提供光致发光荧光体的制造方法，其能够在以α-赛隆为主成分的氧氮化物荧光体中实现以蓝色LED为光源的白色LED的高亮度化。该α-赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法的特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.16～0.22g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n:Lny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。
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24.发明公开公开(公告)号：CN103201213A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180038289.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , A01N25/00 , A01N35/02 , A01N43/80 , A01N59/08 , A01P3/00 , A01P13/00 , C01B21/082 , C02F1/50 , C02F1/76
CPC classification number: C01B21/068 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有高亮度，并可用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)等；还提供了各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。本发明涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其特征在于，其是用作制造硅氮化物磷光体的初始材料的结晶性氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，并且其特征在于氧含量为0.2重量%～0.9重量%；本发明还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。
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公开(公告)号：CN105980299A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580008245.1
申请日：2015-02-09
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , B22C3/00 , C01B33/02 , C10M103/06 , C10N40/36
Abstract: 本发明提供一种离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及用以获得该离型材用氮化硅粉末浆料的浆料用氮化硅粉末及其制造方法、以及多结晶硅锭的离型性良好的多结晶硅铸造用铸模及其低成本制造方法，上述离型材用氮化硅粉末浆料无需使用粘合剂等添加剂且无需经过烧结步骤即可于多结晶硅铸造用铸模形成不仅多结晶硅锭的离型性良好且多结晶硅锭铸造后对铸模的密接性也良好的离型层。本发明涉及一种浆料用氮化硅粉末，其是用于多结晶硅铸造用铸模的离型层形成用浆料的氮化硅粉末，且比表面积为5～50m2/g，非晶质氮化硅的比例为1.0～25.0质量％，含氧量为0.6～2.5质量％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104736664B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380053996.6
申请日：2013-10-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
Abstract: 波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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公开(公告)号：CN103842473B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280048350.4
申请日：2012-10-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C01B21/068 , C01B21/082 , C09K11/08 , C09K11/65
CPC classification number: C09K11/7728 , C01B21/0821 , C01B21/0826 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式：Cax1Eux2Sil2-(y+z)Al(y+z)OzN16-z（其中，式中，x1、x2、y、z为：0
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公开(公告)号：CN105247011A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030239.1
申请日：2014-05-26
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7792 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48095 , H01L2224/48472 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮氧化物荧光体粉末，其为具有565～577nm的主波长的α型塞隆系荧光体，且具有在实用时高的荧光强度及外部量子效率。本发明的氮氧化物荧光体粉末为以组成式：Cax1Eux2Ybx3Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中，式中，0.0＜x1≤2.0、0.0000＜x2≤0.0100、0.0000＜x3≤0.0100、0.4≤x2/x3≤1.4、1.0≤y≤4.0、0.5≤z≤2.0)表示的α型塞隆。
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公开(公告)号：CN103347814B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180062815.7
申请日：2011-07-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B33/02 , B22C1/00 , B22C3/00 , C01B21/068
CPC classification number: B29C33/60 , B29C33/38 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法等，其可以抑制与硅铸锭的铸模表面的粘固和对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损、破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm且含氧量为0.3wt%～1.0wt%的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm且含氧量为1.3wt%～20wt%的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末混合到水中而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下在400℃～800℃对铸模进行加热。
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公开(公告)号：CN103282307B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180062857.0
申请日：2011-07-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B33/02 , B22C3/00 , B22D25/04 , C01B21/068
CPC classification number: B28B7/36 , B22C3/00 , B22D18/02 , B22D21/00 , C01B21/068 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模以其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料，它们的成本低且与铸模的接合性优异，可以抑制对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损和破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末，其特征在于，以由SEM图像的图像解析而算出的面积比计，所述粉末中单分散的粒状结晶一次颗粒的比例为95%以上。
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