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公开(公告)号：CN106103650A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014242.9
申请日：2015-03-18
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/08 , C04B35/50 , C04B35/653 , C09K11/80 , H01L33/50
CPC classification number: C09K11/7774 , C04B35/44 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/664 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9653 , H01L33/502 , Y02B20/181
Abstract: 本发明的课题在于提供一种作为白色发光二极体等光器件的光转换构件而耐热性、耐久性等优异、光源的光与萤光的比率调节较为容易、可减少放射光的色不均或偏差、进而具有较高的内部量子效率及萤光强度的光转换用陶瓷复合材料、其制造方法、及具备其的光转换效率较高的发光装置。本发明提供一种光转换用陶瓷复合材料，由萤光相及透光相所构成，其特征在于：上述萤光相为含有Ln3Al5O12∶Ce(Ln为选自Y、Lu、及Tb中的至少一种元素，Ce为活化元素)的相，上述透光相为含有LaAl11O18的相。
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公开(公告)号：CN104736664A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053996.6
申请日：2013-10-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
Abstract: 波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102224118A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147322.6
申请日：2009-11-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/20 , C04B35/457 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01B3/12 , H01P7/10 , H01P11/008 , Y10T428/24355
Abstract: 一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O2-bMg2SiO4-cMgTi2O5-dMgSiO3表示。上述组合式中的a、b、c及d(其中a、b、c及d是摩尔％)分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100。用于高频的电介质陶瓷组合物，相对介电常数εr是7.5～12.0、且Qm×fo值是50000(GHz)以上，并且谐振频率fo的温度系数τf的绝对值是30ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN101014549A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580007069.6
申请日：2005-03-03
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/462 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , C01G23/002 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/62805 , C04B35/62821 , C04B35/62897 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , H01B3/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/129 , H01G4/30 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5－20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880－1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。
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公开(公告)号：CN104736664B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380053996.6
申请日：2013-10-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
Abstract: 波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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公开(公告)号：CN102224118B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980147322.6
申请日：2009-11-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/20 , C04B35/457 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , H01B3/12 , H01P7/10 , H01P11/008 , Y10T428/24355
Abstract: 一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O2-bMg2SiO4-cMgTi2O5-dMgSiO3表示。上述组合式中的a、b、c及d(其中a、b、c及d是摩尔％)分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100。用于高频的电介质陶瓷组合物，相对介电常数εr是7.5～12.0、且Qm×fo值是50000(GHz)以上，并且谐振频率fo的温度系数τf的绝对值是30ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN100532323C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580007069.6
申请日：2005-03-03
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/462 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , C01G23/002 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/62805 , C04B35/62821 , C04B35/62897 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , H01B3/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/129 , H01G4/30 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5-20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880-1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。
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