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公开(公告)号：CN105008486B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480011774.2
申请日：2014-03-07
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C04B35/584 , C04B35/626 , C09K11/08
Abstract: 本发明提供组成控制容易、荧光特性优异的包含(Ca，Sr)AlSiN3：Eu荧光体的氮化物荧光体。提供(Ca1‑x1‑x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c(式中，0.49＜x1＜1.0、0.0＜x2＜0.02、0.9≤a≤1.1、0.9≤b≤1.1、0.9≤c≤1.1)所示的氮化物荧光体的制造方法，其中，将下述的氮化硅粉末用于原料：比表面积为5～35m2/g，将在从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧相对于氮化硅粉末的质量比例设为FSO(质量％)，将在从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧量相对于氮化硅粉末的质量比例设为FIO(质量％)，将比表面积设为FS(m2/g)的情况下，FS/FSO((m2/g)/(质量％))为8～53，并且FS/FIO((m2/g)/(质量％))为20以上。
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公开(公告)号：CN105980524B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201580006843.5
申请日：2015-02-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/55 , H01L33/502
Abstract: 关于具有587～630nm的荧光峰波长的氮氧化物荧光体，提供一种外部量子效率高于以往的氮氧化物荧光体。本发明涉及一种含有50～10000ppm的Li的氮氧化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合，在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500～2000℃烧成，获得作为中间物的以含Ca的α型塞隆为主成分的氮氧化物荧光体烧成物后，将该氮氧化物荧光体烧成物进而在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃～低于所述烧成温度的温度进行热处理。
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公开(公告)号：CN104087291B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410206550.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883
Abstract: 提供光致发光荧光体的制造方法，其能够在以α‑赛隆为主成分的氧氮化物荧光体中实现以蓝色LED为光源的白色LED的高亮度化。该α‑赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法的特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.16～0.22g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12‑(m+n)Al(m+n)OnN16‑n:Lny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。
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公开(公告)号：CN104145003B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380011911.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , H01L33/502 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种氧氮化物荧光体，其具有580～605nm的荧光峰值波长，外量子效率比以往高。本发明的氧氮化物荧光体粉末是由下述组成式表示的、含有α型塞隆和氮化铝的氧氮化物荧光体。本发明还提供上述氧氮化物荧光体的制造方法。Cax1Eux2Si12?(y+z)Al(y+z)OzN16?z(式中，x1、x2、y、z为0＜x1≤2.50、0.01≤x2≤0.20、0＜y≤2.3和1.5≤z≤3.5，或者，x1、x2、y、z为0＜x1≤2.70、0.05≤x2≤0.20、2.3≤y≤5.5和1≤z≤2.5)。
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公开(公告)号：CN105008486A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480011774.2
申请日：2014-03-07
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C04B35/584 , C04B35/626 , C09K11/08
Abstract: 本发明提供组成控制容易、荧光特性优异的包含(Ca，Sr)AlSiN3：Eu荧光体的氮化物荧光体。提供(Ca1-x1-x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c(式中，0.49＜x1＜1.0、0.0＜x2＜0.02、0.9≤a≤1.1、0.9≤b≤1.1、0.9≤c≤1.1)所示的氮化物荧光体的制造方法，其中，将下述的氮化硅粉末用于原料：比表面积为5～35m2/g，将在从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧相对于氮化硅粉末的质量比例设为FSO(质量％)，将在从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧量相对于氮化硅粉末的质量比例设为FIO(质量％)，将比表面积设为FS(m2/g)的情况下，FS/FSO((m2/g)/(质量％))为8～53，并且FS/FIO((m2/g)/(质量％))为20以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105143399B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480017001.5
申请日：2014-03-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/068 , C09K11/0883 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末，其为具有605～615nm的荧光峰波长的包含α型赛隆荧光体的氧氮化物荧光体粉末，与以往相比外部量子效率高。本发明的氧氮化物荧光体粉末包含由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤1.0)表示的α型赛隆。还提供还包含50～10000ppm的Li的包含α型赛隆的氧氮化物荧光体粉末。此外，本发明涉及这些氧氮化物荧光体粉末的制造方法，原料的成为硅源的物质优选为氧含量是0.2～0.9质量％、平均粒径是1.0～12.0μm、比表面积是0.2～3.0m2/g的氮化硅粉末。
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公开(公告)号：CN105980524A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580006843.5
申请日：2015-02-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/55 , H01L33/502
Abstract: 关于具有587～630nm的荧光峰波长的氮氧化物荧光体，提供一种外部量子效率高于以往的氮氧化物荧光体。本发明涉及一种含有50～10000ppm的Li的氮氧化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合，在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500～2000℃烧成，获得作为中间物的以含Ca的α型塞隆为主成分的氮氧化物荧光体烧成物后，将该氮氧化物荧光体烧成物进而在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃～低于所述烧成温度的温度进行热处理。
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公开(公告)号：CN105143399A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480017001.5
申请日：2014-03-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/068 , C09K11/0883 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末，其为具有605～615nm的荧光峰波长的包含α型赛隆荧光体的氧氮化物荧光体粉末，与以往相比外部量子效率高。本发明的氧氮化物荧光体粉末包含由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤1.0)表示的α型赛隆。还提供还包含50～10000ppm的Li的包含α型赛隆的氧氮化物荧光体粉末。此外，本发明涉及这些氧氮化物荧光体粉末的制造方法，原料的成为硅源的物质优选为氧含量是0.2～0.9质量％、平均粒径是1.0～12.0μm、比表面积是0.2～3.0m2/g的氮化硅粉末。
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公开(公告)号：CN103201213B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180038289.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , A01N25/00 , A01N35/02 , A01N43/80 , A01N59/08 , A01P3/00 , A01P13/00 , C01B21/082 , C02F1/50 , C02F1/76
CPC classification number: C01B21/068 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有高亮度，并可用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)等；还提供了各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。本发明涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其特征在于，其是用作制造硅氮化物磷光体的初始材料的结晶性氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，并且其特征在于氧含量为0.2重量%～0.9重量%；本发明还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。
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公开(公告)号：CN104736664A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053996.6
申请日：2013-10-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
Abstract: 波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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