公开(公告)号：CN107109217A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072451.9

申请日：2015-12-25

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 福田晃一 ,  高崎薰 ,  天谷仁 ,  稻垣徹 ,  田中真树 ,  坂口辰德

IPC: C09K11/59 ,  C09K11/08 ,  C09K11/79 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明为一种荧光体，其特征在于，其以下述式(1)的组成表示，并且利用X射线衍射由威廉姆森‑霍尔绘图求出的晶格畸变在0.0005～0.0020的范围内。式(1)中，M为选自由Sc，Y，Gd，Tb和La组成的组中的一种以上稀土类金属元素，0.01≤x≤0.10。此外，本发明为一种发光装置，其特征在于，其具备上述荧光体和对该荧光体照射激发光而使其发光的光源。进一步，本发明为一种荧光体的制造方法，其为上述荧光体的制造方法，其特征在于，该制造方法具备得到原料的水性浆料的工序、和利用80～300℃的热风对上述水性浆料进行喷雾干燥的工序。(Sr，Ca，M)3‑xMgSi2O8：Eux…式(1)。

公开(公告)号：CN107075369A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060254.5

申请日：2015-11-04

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 天谷仁 ,  福田晃一 ,  坂口辰德

IPC: C09K11/79 ,  C09K11/59 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7792 ,  C09K11/59 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502

Abstract: 本发明为一种荧光体，其特征在于，其以下式(1)的组成表示。式(1)中，M1为选自Lu和Sc的至少一种的第三族元素，M2为选自Li、Na和K的碱金属元素，0

公开(公告)号：CN100378030C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200480013842.5

申请日：2004-05-19

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 河野孝史 ,  福田晃一

IPC: C04B35/462 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了层压陶瓷部件，其相对介电常数εr为15-25使得能形成具有合适尺寸，能在低于可通过同时烧结从而内封装并层压 Cu或 Ag 的低电阻导体的800-1000℃的温度下烧结，并具有低介电损耗tanδ(高Q值)，并且共振频率的温度系数τf绝对值不大于50ppm/℃。所述介质陶瓷组合物基于100重量份通式为x’Zn2TiO4-(1-x’-y’)ZnTiO3-y’TiO2的主成分，其中0.15＜x’＜0.8且0≤y’≤0.2，含有3-30重量份无铅低熔点玻璃，所述低熔点玻璃含有50-75重量%的 ZnO ，5-30重量%的 B2O3，6-15重量%的 SiO2，0.5-5重量%的 Al2O3，以及3-10重量%的 BaO 。

公开(公告)号：CN101014549A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580007069.6

申请日：2005-03-03

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 河野孝史 ,  山永正孝 ,  福田晃一

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/462 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/12 ,  C01G23/002 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993

Abstract: 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5－20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880－1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。

公开(公告)号：CN1251403C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01820613.1

申请日：2001-12-21

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 古谷信二 ,  市川博 ,  大山隆治 ,  岩下和树 ,  福田晃一

IPC: H03H7/46 ,  H03H7/075 ,  H04B1/50

CPC classification number: H03H7/1791 ,  H01P1/213 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/075 ,  H03H7/463 ,  H03H2001/0085

Abstract: 一种多路转换器，把从第1分频电路(1)的接口(10)输入的4个频率成分f1～f4(其中，f1＜f2＜f3＜f4)，分频成f1、f2的低频成分和f3、f4的高频成分后，分别向第2分频电路(2)的接口(20)和第3分频电路(3)的接口(30)输入，用第2分频电路(2)分频成f1成分和f2成分后分别从接口(23)和接口(24)输出，用第3分频电路(3)分频成f3成分和f4成分后，分别从接口(33)和接口(34)输出。第1分频电路(1)由低通滤波器(11)和高通滤波器(12)构成，第2分频电路(2)由低通滤波器(21)和低通滤波器与带阻滤波器的组合滤波器(22)构成，第3分频电路(3)，由高通滤波器与带阻滤波器的组合滤波器(31)和高通滤波器(32)构成。把它们作成为叠层构造体的形式。

公开(公告)号：CN1500297A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02805448.2

申请日：2002-02-21

Applicant: 宇部兴产株式会社 ,  友华株式会社

Inventor： 福田晃一 ,  市川博 ,  大山隆治 ,  堀江凉 ,  龟田省三郎 ,  铃木光广

IPC: H01Q1/24 ,  H01Q1/38 ,  H01Q13/10 ,  H01P1/203 ,  H03H7/075 ,  H03H7/46

CPC classification number: H03H7/1766 ,  H01P1/213 ,  H01P1/2135 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/0421 ,  H01Q9/0442 ,  H01Q13/10 ,  H01Q21/28 ,  H01Q21/30 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/1791 ,  H03H7/461 ,  H03H2001/0085 ,  H04B1/48 ,  H04B1/50

Abstract: 本发明的天线装置大致为平板状的辐射体(2)以及与辐射体2的彼此平行的1对短边分别相邻的、安装在下表面一侧边缘部上的支持部(4、6)。支持部(4)由包括层叠型分路滤波器和分别与该层叠型分路滤波器连接的接受侧、发送侧的层叠型带通滤波器的层叠型电路部件构成。辐射体(2)在安装有支持部(4)的边缘部上设有供电端子(2c)和接地端子(2d)，供电端子(2c)和接地端子(2d)分别与层叠型电路的天线端子(4a)和接地端子(4b)连接。辐射体(2)具有形成狭缝(2b)的辐射电极(2a)，狭缝(2b)的形状被设定为使辐射电极(2a)在多个频带中共振。

公开(公告)号：CN1307122C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200480002832.1

申请日：2004-01-20

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 石飞信一 ,  福田晃一 ,  河野孝史 ,  射场久善

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/16 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供介质陶瓷组合物，通过与低电阻导体例如银或铜的同时烧结，其可以在约800-1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻导体并与其多层化，并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式：aZnAl2O4-bZn2SiO4-cTiO2-dZn2TiO4表示的主成分，所述介质陶瓷组合物含有5-150重量份的玻璃成分，其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔%，5.0≤b≤70.0摩尔%，5.0≤c≤27.5摩尔%，0≤d≤30.0摩尔%(a+b+c+d＝100摩尔%)。

公开(公告)号：CN105916964A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004419.7

申请日：2015-01-21

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 天谷仁 ,  福田晃一

IPC: C09K11/59 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7792 ,  H01L33/502

Abstract: 本发明为一种荧光体，其特征在于，其以下式(1)的组成表示。式(1)中，M1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，M2为选自Li、Na和K的碱金属，0

公开(公告)号：CN1791562A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013842.5

申请日：2004-05-19

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 河野孝史 ,  福田晃一

IPC: C04B35/462 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了层压陶瓷部件，其相对介电常数εr为15－25使得能形成具有合适尺寸，能在低于可通过同时烧结从而内封装并层压Cu或Ag的低电阻导体的800－1000℃的温度下烧结，并具有低介电损耗tanδ(高Q值)，并且共振频率的温度系数τf绝对值不大于50ppm/℃。所述介质陶瓷组合物基于100重量份通式为x’Zn2TiO4－(1－x’－y’)ZnTiO3－y’TiO2的主成分，其中0.15＜x’＜0.8且0≤y’≤0.2，含有3－30重量份无铅低熔点玻璃，所述低熔点玻璃含有50－75重量％的ZnO，5－30重量％的B2O3，6－15重量％的SiO2，0.5－5重量％的Al2O3，以及3－10重量％的BaO。

公开(公告)号：CN100532323C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200580007069.6

申请日：2005-03-03

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 河野孝史 ,  山永正孝 ,  福田晃一

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/462 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/12 ,  C01G23/002 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993

Abstract: 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5-20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880-1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。