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公开(公告)号：CN104203813B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201380017253.3
申请日：2013-03-25
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/626
CPC分类号： C01B21/0687 , C01B21/068 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/2982
摘要： 本发明的目的是提供一种具有高的机械强度和传热系数的氮化硅烧结体和使用其的电路基板。提供一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，一边通过连续烧结炉使在将比表面积设为RS(m2/g)、含氧比例设为RO(质量％)时的RS/RO为500以上的非晶质Si‑N(‑H)系化合物流动，一边在1000～1400℃的温度范围内以12～100℃/分钟的升温速度加热。另外，提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得到的氮化硅烧结体、以及使用该氮化硅烧结体的电路基板，所述氮化硅粉末的特征在于，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO(质量％)、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO(质量％)、将比表面积设为FS(m2/g)时，FS/FSO为8～25，FS/FIO为22以上。
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公开(公告)号：CN103347814B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180062815.7
申请日：2011-07-27
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B33/02 , B22C1/00 , B22C3/00 , C01B21/068
CPC分类号： B29C33/60 , B29C33/38 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法等，其可以抑制与硅铸锭的铸模表面的粘固和对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损、破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm且含氧量为0.3wt%～1.0wt%的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm且含氧量为1.3wt%～20wt%的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末混合到水中而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下在400℃～800℃对铸模进行加热。
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公开(公告)号：CN105377756A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038649.0
申请日：2014-07-09
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B33/02 , C01B21/068 , B22C3/00
CPC分类号： C01B21/068 , B05D3/0413 , C01B21/0687 , C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2006/12 , C01P2006/80
摘要： 本发明提供能够以低成本制造高光电转换效率的多晶硅锭的多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末。本发明提供多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末的浆料、以及多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模的多晶硅锭的制造方法，其中该多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末的比表面积为5～40m2/g，将在粒子表面层存在的氧的含有比例记为FSO(质量％)、将在粒子内部存在的氧的含有比例记为FIO(质量％)、将比表面积记为FS(m2/g)，在此情况下，FS/FSO为8～30，FS/FIO为22以上，粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.05～0.20。
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公开(公告)号：CN105377756B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201480038649.0
申请日：2014-07-09
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B33/02 , C01B21/068 , B22C3/00
CPC分类号： C01B21/068 , B05D3/0413 , C01B21/0687 , C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2006/12 , C01P2006/80
摘要： 本发明提供能够以低成本制造高光电转换效率的多晶硅锭的多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末。本发明提供多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末的浆料、以及多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模的多晶硅锭的制造方法，其中该多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末的比表面积为5～40m2/g，将在粒子表面层存在的氧的含有比例记为FSO(质量％)、将在粒子内部存在的氧的含有比例记为FIO(质量％)、将比表面积记为FS(m2/g)，在此情况下，FS/FSO为8～30，FS/FIO为22以上，粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.05～0.20。
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公开(公告)号：CN104203813A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017253.3
申请日：2013-03-25
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/626
CPC分类号： C01B21/0687 , C01B21/068 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/2982
摘要： 本发明的目的是提供一种具有高的机械强度和传热系数的氮化硅烧结体和使用其的电路基板。提供一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，一边通过连续烧结炉使在将比表面积设为RS(m2/g)、含氧比例设为RO(质量％)时的RS/RO为500以上的非晶质Si-N(-H)系化合物流动，一边在1000～1400℃的温度范围内以12～100℃/分钟的升温速度加热。另外，提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得到的氮化硅烧结体、以及使用该氮化硅烧结体的电路基板，所述氮化硅粉末的特征在于，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO(质量％)、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO(质量％)、将比表面积设为FS(m2/g)时，FS/FSO为8～25，FS/FIO为22以上。
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公开(公告)号：CN103347814A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180062815.7
申请日：2011-07-27
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C01B33/02 , B22C1/00 , B22C3/00 , C01B21/068
CPC分类号： B29C33/60 , B29C33/38 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法等，其可以抑制与硅铸锭的铸模表面的粘固和对凝固的硅铸锭进行脱模时的缺损、破损的发生，从而以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm且含氧量为0.3wt%～1.0wt%的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm且含氧量为1.3wt%～20wt%的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末混合到水中而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下在400℃～800℃对铸模进行加热。
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