公开(公告)号：CN110062745A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201780076707.2

申请日：2017-12-12

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 王丸卓司 ,  柴田耕司 ,  山尾猛 ,  山田哲夫

IPC: C01B21/068 ,  B22C3/00 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种氮化硅粉末，其能适宜地用作多晶硅铸锭的脱模剂，所述脱模剂即使在升高单向凝固时的硅的熔融温度时、或者增加硅的熔融时间时，多晶硅铸锭的脱模性也良好。提供一种氮化硅粉末，其特征在于，比表面积0.4m2/g以上且5m2/g以下，其中，β型氮化硅的比例为70质量％以上，D50为2μm以上且20μm以下，D90为8μm以上且60μm以下，Fe的含有比例为100ppm以下，Al的含有比例为100ppm以下，除Fe及Al以外的金属杂质的含有比例合计为100ppm以下，将β型氮化硅的微晶直径设为DC时，DC为300nm以上。

公开(公告)号：CN112912356A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980070845.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 本田道夫 ,  藤永昌孝 ,  王丸卓司 ,  柴田耕司 ,  山田哲夫

IPC: C04B35/593 ,  C04B35/64 ,  H05K1/03

Abstract: 一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离，由此得到多张氮化硅烧结体，从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板，分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉，因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m2/g以上且20m2/g以下，通过激光衍射散射法测定的体积基准的50％粒径D50为20μm以下，并且氧量为0.3重量％以上且低于2重量％，通过将分离材料以0.1mg/cm2以上且3mg/cm2以下的涂布量涂布在生片表面，能够得到热导率在室温下为80W/(m·K)以上、4点弯曲强度在室温下为800MPa以上的氮化硅基板。

公开(公告)号：CN104203813A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017253.3

申请日：2013-03-25

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 柴田耕司 ,  王丸卓司 ,  山尾猛 ,  藤永昌孝 ,  本田道夫 ,  藤井孝行

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01B21/0687 ,  C01B21/068 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高的机械强度和传热系数的氮化硅烧结体和使用其的电路基板。提供一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，一边通过连续烧结炉使在将比表面积设为RS(m2/g)、含氧比例设为RO(质量％)时的RS/RO为500以上的非晶质Si-N(-H)系化合物流动，一边在1000～1400℃的温度范围内以12～100℃/分钟的升温速度加热。另外，提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得到的氮化硅烧结体、以及使用该氮化硅烧结体的电路基板，所述氮化硅粉末的特征在于，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO(质量％)、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO(质量％)、将比表面积设为FS(m2/g)时，FS/FSO为8～25，FS/FIO为22以上。

公开(公告)号：CN110049946A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780076711.9

申请日：2017-12-12

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 王丸卓司 ,  柴田耕司 ,  山尾猛 ,  山田哲夫

IPC: C01B21/068 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种氮化硅粉末，其能适宜地用作多晶硅铸锭的脱模剂，所述脱模剂即使在升高单向凝固时的硅的熔融温度时、或者增加硅的熔融时间时，多晶硅铸锭的脱模性也良好。提供一种氮化硅粉末，其特征在于，比表面积为2m2/g以上且13m2/g以下，β型氮化硅的比例为50质量％以上，β型氮化硅的微晶直径DC为150nm以上，比表面积当量直径DBET与DC之比DBET/DC(nm/nm)为3以下，通过粒度分布测定而得到的频率分布曲线具有两个峰，该峰的峰顶处于0.5～2μm的范围和6～30μm的范围，前述峰顶的频率之比为0.1～1。

公开(公告)号：CN104203813B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380017253.3

申请日：2013-03-25

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 柴田耕司 ,  王丸卓司 ,  山尾猛 ,  藤永昌孝 ,  本田道夫 ,  藤井孝行

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01B21/0687 ,  C01B21/068 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高的机械强度和传热系数的氮化硅烧结体和使用其的电路基板。提供一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，一边通过连续烧结炉使在将比表面积设为RS(m2/g)、含氧比例设为RO(质量％)时的RS/RO为500以上的非晶质Si‑N(‑H)系化合物流动，一边在1000～1400℃的温度范围内以12～100℃/分钟的升温速度加热。另外，提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得到的氮化硅烧结体、以及使用该氮化硅烧结体的电路基板，所述氮化硅粉末的特征在于，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO(质量％)、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO(质量％)、将比表面积设为FS(m2/g)时，FS/FSO为8～25，FS/FIO为22以上。