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公开(公告)号：CN114935976B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210711264.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及屏幕显示技术领域，具体提供了一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质，应用在分区显示系统中，分区显示系统包括视觉相机和显示屏，视觉相机用于生成采集显示屏前的图像信息，分区显示方法包括以下步骤：根据图像信息获取任一人眼的第一人眼尺寸信息；根据第一人眼尺寸信息获取人眼到显示屏的第一距离信息；根据图像信息获取第一人眼尺寸信息对应人眼的第一偏移信息和瞳孔在该人眼中的第二偏移信息；根据第一距离信息、第一偏移信息和第二偏移信息获取对应人眼在显示屏上的注视区域；控制显示屏在注视区域内显示高刷新率画面信息；该分区显示方法使显示屏能够同时实现高刷新率显示和降低功耗。
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公开(公告)号：CN118070564A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464333.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征，设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117423785A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311441200.6
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L33/00 , H01L21/683 , B08B1/12 , B08B15/04
Abstract: 本申请公开了一种Micro‑LED晶圆修复装置，属于半导体技术领域，该晶圆修复装置通过在载盘座的第二内腔中设置滤网和清洁组件，在抽气过程中，清洁组件在气流推动下对滤网进行清洁以刮落滤网上的杂质，并由下方的收集框收集被刮落的杂质，从而实现在抽气的过程中清除杂质，当晶圆的修复工作完成后，气泵进行充气，使晶圆稍微悬浮便于取走，此时，由于滤网上的杂质已经被清除，充气气流不会携带杂质从吸附槽喷出，有效避免杂质对晶圆底面的损害，从而有利于晶圆的修复工作。
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公开(公告)号：CN115386856B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211279601.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法，属于真空计领域，金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤：在两片衬底的正面沉积金刚石；其中一片衬底直接沉积得到第一部件，另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件；取下金属环，并去除第一部件和第二部件背面的衬底；在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层；在金属层上焊上导线，且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔；将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合；在第二部件朝上的状态下沉积金刚石，得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容，用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN115276456A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210426801.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及摩擦发电领域，公开了一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法，包括以下步骤：利用激光在金刚石基材正面的表面或内部加工形成石墨电极；在所述金刚石基材的底面沉积金属薄膜电极；将导线与所述石墨电极焊接，将导线与所述金属薄膜电极进行焊接，形成所述金刚石摩擦发电器件。本申请金刚石摩擦发电器件采用金刚石作为摩擦发电主体材料，具有高化学稳定性、耐摩擦、高硬度等特点，使用寿命长，环境稳定性高；而且，使用激光在金刚石基材正面的表面或内部制备石墨电极，简单快捷、精准度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114323355A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251300.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118070564B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410464333.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征，设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN118095141A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410464351.1
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、相变特征、液体和气体的流动特征以及物质蒸发特征，设置流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场，通过等效热容法，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117779032A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410025252.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种高结合性耐高温复合涂层及其制备方法，属于表面薄膜制备技术领域，方法步骤包括：对基体材料进行微加工刻蚀，以在基体材料表面形成周期性图案，进行喷砂处理，在基体材料表面溅射形成四面体非晶碳过渡层薄膜，继续化学气相沉积出金刚石保护膜，从而在基体材料表面获得高结合性耐高温复合涂层，该方法可以提高金刚石在基体材料上的形核率，增加金刚石保护膜和基体材料之间的结合力，四面体非晶碳薄膜可以贴合不同材料，如金属、塑料、无机非金属等，又不会出现沉积时严重的应力问题，将四面体非晶碳作为基体材料的过渡层可以增加金刚石在基体材料上的稳定性，在高温情况下有效保护基体材料的抗氧化以及抗腐蚀等性能。
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公开(公告)号：CN117497665A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311496964.5
申请日：2023-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种Micro‑LED芯片结构，属于半导体技术领域，该芯片结构包括从下到上依次叠置的衬底、N型半导体层、P‑N结层和P型半导体层，还包括P电极和N电极；P电极设置在P型半导体层的其中一个侧面上，N电极设置在N型半导体层远离P电极的侧面上，在封装接线时，可以避免导线经过芯片结构的出光面，从而提高光照效果。
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