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公开(公告)号：CN109728202A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811551566.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件及其制备方法。本发明基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件，包括依次设置的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和柔性衬底；所述阳极层采用Au，所述空穴传输层采用Spiro-OMeTAD，所述钙钛矿发光层采用Cs0.05FA0.8075MA0.1425Pb(I0.85Br0.15)3混合钙钛矿薄膜材料，所述电子传输层采用非晶非连续电子传输材料SnO2，所述柔性衬底采用ITO/PEN。本发明所属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件的制备方法简单易行、成本低廉，制备得到的柔性红光电注入发光器件有效解决了柔性钙钛矿器件的弯曲稳定性问题。
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公开(公告)号：CN113725367A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111037068.3
申请日：2021-09-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于2D‑PVK协同共钝化钙钛矿薄膜晶界和表面缺陷的太阳能电池器件及制备方法。该太阳能电池器件包括导电衬底、依次制备的电子传输层、有机‑无机杂化金属卤化物钙钛矿吸光层、协同钝化层、空穴传输层和金属电极层。本发明所述的金属卤化物钙钛矿薄膜的太阳能光伏器件，制备方法简单、成本低廉，2D‑PVK协同钝化层有效钝化了钙钛矿薄膜晶界缺陷和薄膜表面缺陷，大幅降低了缺陷引起的非辐射复合损耗，提升了器件的光电转换效率和长期稳定性，为高效稳定钙钛矿太阳能电池的实用化提供重要理论依据与技术支撑。
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公开(公告)号：CN111682079A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010483488.3
申请日：2020-06-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/54
Abstract: 一种中/远红外透明导电材料体系及其制备导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域，为高价态金属(三价以上)掺杂硫属半导体薄膜及其多源共蒸发制备方法。本发明以常用中/远红外透明材料为衬底，以无机硫属化合物半导体和单质高价态金属作为原料，单质硫族元素作为阴离子补偿材料，采用多源共蒸发技术在较低衬底温度下，制备高价态金属掺杂硫属半导体薄膜。所制备的掺杂硫属半导体薄膜不仅具有良好的化学稳定性，在可见光-近红外-中红外波长区间具有高的透过率，而且还具高电导率、高载流子迁移率等一系列优异的导电特性。本发明制备技术成熟、工艺简单且易于操作、成本低廉、可重复性好，易于大面积成膜，适合大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN109755391A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811616730.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机无机杂化钙钛矿的阈值开关器件及其制备方法，属于数据存储领域，包括底部电极、介质层、顶部电极，顶部电极为银电极，底部电极为FTO导电玻璃，介质层采用(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3。该阈值开关器件存在高电阻和低电阻状态。步骤：首先，在底部电极导电面上滴加(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3溶液，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，进行退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，在钙钛矿薄膜上沉积顶电极，并在银电极上施加持续的电脉冲刺激，使银扩散进钙钛矿层中得到阈值开关器件。与传统阈值开关器件相比，本发明采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，不需要高温工艺、高真空或惰性环境，生产成本低，工艺简单，适用于大规模制造。
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公开(公告)号：CN104672369B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510117975.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C08F218/08 , C08F218/10 , C08F218/04 , C08F214/24 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F2/24 , C08F2/30 , C08F4/04
Abstract: 本发明提供一种阳离子型水性氟聚合物乳液及其制备方法。阳离子型水性氟聚合物乳液由重量配比如下的各组分制备而成：含氟单体10～20份；烷基酸乙烯基酯单体20～40份；丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯5～15份；季铵盐类可聚合乳化剂0.5～1.5份；非离子型乳化剂0.5～1.0份；偶氮类水溶性引发剂0.1～1.0份；去离子水40～60份。所述阳离子型水性氟聚合物乳液稳定性好、固含量高，具有吸附负电荷、抗静电、防腐杀菌和低吸湿性等特性。本发明还公开了一种阳离子型水性氟聚合物乳液的制备方法。本发明阳离子型水性氟聚合物乳液能广泛应用于抗菌涂料、抗静电材料、电子封装材料和织物整理等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105576020A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610109041.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN104672369A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510117975.7
申请日：2015-03-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C08F218/08 , C08F218/10 , C08F218/04 , C08F214/24 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F2/24 , C08F2/30 , C08F4/04
Abstract: 本发明提供一种阳离子型水性氟聚合物乳液及其制备方法。阳离子型水性氟聚合物乳液由重量配比如下的各组分制备而成：含氟单体10～20份；烷基酸乙烯基酯单体20～40份；丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯5～15份；季铵盐类可聚合乳化剂0.5～1.5份；非离子型乳化剂0.5～1.0份；偶氮类水溶性引发剂0.1～1.0份；去离子水40～60份。所述阳离子型水性氟聚合物乳液稳定性好、固含量高，具有吸附负电荷、抗静电、防腐杀菌和低吸湿性等特性。本发明还公开了一种阳离子型水性氟聚合物乳液的制备方法。本发明阳离子型水性氟聚合物乳液能广泛应用于抗菌涂料、抗静电材料、电子封装材料和织物整理等领域。
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公开(公告)号：CN104311718A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410613819.5
申请日：2014-11-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: C08F218/08 , C08F220/22 , C08F218/00 , C08F214/24 , C08F220/06 , C08F2/26 , C08F2/30 , C09D131/04
Abstract: 本发明提供一种高氟含量水性氟聚合物乳液及其制备方法，高氟含量水性氟聚合物乳液包括重量配比如下的各组分：三氟氯乙烯10.00～20.00份；含氟丙烯酸酯单体和/或含氟甲基丙烯酸酯单体5.00～20.00份；脂肪族羧酸乙烯基或烯丙基酯15.00～30.00份；直链含羧基烯酸0.50～3.00份；引发剂0.10～2.00份；乳化剂1.00～3.50份；缓冲剂0.05～2.00份；去离子水40.00～70.00份。本发明高氟含量水性氟聚合物乳液具有优异耐水性、突出的表面性能和优异的耐候性，在建材、织物、光纤、光伏电池涂层和薄膜型电子封装材料等方面具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN100590820C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810010103.0
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/477
Abstract: 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的为克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离子体退火技术，将氮掺杂的ZnO在氮的氧化物等离子体进行高温退火，从而获得高效稳定的p型ZnO掺杂方法。由于在气氛中形成高激活性的氮与氧，可以防止氮掺杂的ZnO中的氮逸出，同时也防止了ZnO中氧的脱附，又同时进行了氮掺杂ZnO中氮受主的激活，从而实现了p型ZnO的制备，进而可以制备出ZnO的pn结发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN1787248A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510200730.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种氧化锌材料发光二极管的制备方法。其特征是在不同的衬底材料表面上，采用超声雾化热分解方法，依次生长p－型和n－型Zn(Mg)O薄膜而制得ZnO基p－n结材料。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO基p－n结材料电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。通过标准半导体工艺制备上下欧姆接触电极，即可获得氧化锌材料发光二极管。本发明的效果和益处在于提供一种工艺简单易行的制备氧化锌发光二极管(LEDs)的方法。氧化锌材料p－n结室温电注入发光的实现必将进一步促进ZnO光电信息功能材料和器件的应用。
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