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公开(公告)号：CN108170910B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201711344193.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法，本发明采用半导体欧姆接触各电极间距相同，而电极宽度不同的方案，由此带来了新的更加准确的欧姆接触电阻计算模型。方案简单、易用、准确，由于在该方案中考虑到实际情况中金‑半接触下方材料本身的方块电阻变化，相对于传统方案，获得的实验数据更加准确，能够满足实际工艺变化的要求，因此是一种更加有效的评估欧姆接触特性的技术方案。本技术方案模型能够对欧姆接触电极进行全面评估，同时准确提取电极间材料的方块电阻、接触电极下方材料的方块电阻以及比接触电阻率等参数，对半导体器件的设计参考具有积极的指导性意义。
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公开(公告)号：CN108197359A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711401180.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法。本发明通过设计电极线布局、测量以及计算的方式获得电极有效宽度数值，从而在有效节省电极布局空间的同时保证芯片电极间饱和电流大小不受影响。本发明引入衡量因子k(＝RV/RC)，选取k值曲线变化率最大位置(即取最大值)对应的电极宽度值作为芯片电极有效宽度值(wE)。本发明申请为半导体芯片研究和生产的科研工作者在设计芯片电极布局时提供技术参考，为了获得芯片目标饱和电流值，如何设计制作欧姆接触电极和计算得到有效电极宽度，最后如何获得最合理的电极宽度设计值。
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公开(公告)号：CN103469299B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310398997.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。
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公开(公告)号：CN103456603B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN103469299A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310398997.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100575546C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810010104.5
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p-n结型光电器件。
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公开(公告)号：CN1328410C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200410011164.0
申请日：2004-10-19
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 沈阳市超高真空应用技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。
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公开(公告)号：CN1461012A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03133404.0
申请日：2003-06-04
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于信息技术领域。本发明的目的是提供一种与VCSEL制作工艺相容的集成式微探尖的制作方法，以解决目前SNOM传感器微探尖制作中腐蚀过程难以精确控制、微探尖与VCSEL出光窗口难以对准和不能批量制作等问题。本发明的技术特征是在已外延生长了pin探测器和VCSEL结构的晶片表面上沉积一层氧化物薄膜并通过常规光刻和腐蚀手段在氧化膜上刻蚀成尺寸与VCSEL的出光窗口匹配的方形窗口阵列，然后利用液相外延生长过程中氧化膜对材料生长的阻断作用和晶体生长过程中的快生长面消失、慢生长面长大原理，在窗口阵列上形成与VCSEL出光窗口对准的金字塔状微探尖。本发明的效果和益处是降低了微型集成式SNOM传感器的制作难度，提高了制作效率和成品率。
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公开(公告)号：CN201815091U
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201020277264.9
申请日：2010-08-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: A63F3/02 , F21V33/00 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型公开了一种LED发光棋，棋盘(1)的盘座中设置有供电电源；在棋盘(1)的盘面上用于棋子落放的位置设置成凹槽(3)；相应棋子的形状与凹槽的形状相配合；棋子中设置有LED灯，且棋子的侧边与底部分别设置与LED灯连接的输入电极；相应凹槽的底部和侧部设置有输出电极；输出电极连接至供电电源。LED发光棋可以满足人们在夜晚下棋的需要。棋子和棋盘内部都嵌有LED灯；棋子侧身与棋盘装有电极，当棋子放在棋盘上的时候，二者电极相连，棋子便会发出柔和的光亮。LED发光棋还具有计时功能，通过连接到棋盘上的特制的计时器，能够精确地计算出每位棋手所用的时间。同时，音响的设置可以让每一个棋手得到全方面的享受。
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