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公开(公告)号：CN107710420B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201680035963.2
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。
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公开(公告)号：CN108028290B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680052868.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
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公开(公告)号：CN101034727B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200710085508.6
申请日：2007-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/221 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。
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公开(公告)号：CN102170090B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110082164.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN102956803A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295063.5
申请日：2012-08-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/483 , H01L33/507 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件(A)，其具有简单结构，由此可以容易地并且精确地确认是否发出了紫外线，该半导体发光器件包括：用于发出在紫外或深紫外区域中的紫外线半导体发光元件(1)；帽部分(6)，帽部分在顶部中具有通孔，紫外线通过通孔(63)，帽部分包围半导体发光元件(1)；用于透射紫外线的半透明盖(7)，所述半透明盖设置成密封地封闭所述通孔(63)；及UV激发磷光体(8)，其被紫外线激发并发出可见光，所述UV激发磷光体设置在帽部分(6)的内侧。
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公开(公告)号：CN102280817B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110190349.2
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101499619B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910007989.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN102136673A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110041101.X
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：III-V族氮化物半导体层；设置在III-V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN1983748B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610171711.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN102044843A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010559244.5
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：III-V族氮化物半导体层；设置在III-V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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