公开(公告)号：CN1461043A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03137818.8

申请日：2003-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  许胜籐 ,  潘威 ,  田尻雅之

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/12 ,  C30B33/00 ,  C30B29/22

CPC classification number: C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1283 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种钙钛矿薄膜的形成方法，其包括：制备钙钛矿前体溶液；制备用于沉积钙钛矿薄膜的硅基材，其包括在所述基材上形成底部电极；在旋转涂布仪器上固定所述基材并且以预定的旋转速度旋转所述基材；将钙钛矿前体溶液注入所述旋转涂布仪器中，从而用该钙钛矿前体溶液涂布所述基材以形成涂覆基材；在从约90℃到300℃递增的温度下烘烤所述的涂覆基材；和在约500℃－800℃的温度将所述的涂覆基材退火约5－15分钟。

公开(公告)号：CN100364075C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN03104234.1

申请日：2003-02-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  许胜籘

IPC: H01L21/70 ,  H01C7/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  Y10S502/525

Abstract: 一种可变电阻器件的制造方法，其包括：制备硅衬底；在衬底上形成硅氧化物层，在硅氧化物层上沉积第一个金属层，其中，第一个金属层的金属选自铂和铱，在第一个金属层上形成钙钛矿金属氧化物薄膜，在钙钛矿金属氧化物薄膜上沉积第二个金属层，其中，第二个金属层的金属选自铂和铱，将在沉积第二个金属层的步骤中得到的结构在约400℃-700℃下退火约5分钟至3小时，然后改变第一个金属层和第二个金属层之间的电阻。

公开(公告)号：CN1298887C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410030292.X

申请日：2004-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 李廷凯 ,  庄维佛 ,  L·J·查内斯基 ,  D·R·埃文斯 ,  许胜籐

IPC: C23C16/40 ,  H01C17/14

CPC classification number: G11C13/0007 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。

公开(公告)号：CN1288744C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03133125.4

申请日：2003-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  庄维佛

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

Abstract: 一种在半导体基片上形成1T1R电阻型存储阵列结构的方法，包括：a)在半导体基片上形成覆盖门氧化物的多晶硅化物/氧化物/氮化物栅层叠；b)制造邻近栅层叠的源和漏区；c)在暴露的源和漏区上进行自对准金属硅化，以形成自对准金属硅化物；d)沿着栅层叠形成氮化物侧壁；e)沉积和平面化硅氧化物绝缘层，使其和栅层叠水平；f)制作布线图案和蚀刻连接漏区的位接触点；g)沉积和平面化底电极；h)沉积电阻型存储材料层；以及i)在电阻型存储材料上形成顶电极。

公开(公告)号：CN1531017A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410007398.8

申请日：2004-03-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 张风燕 ,  庄维佛 ,  潘威 ,  许胜籘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L45/00 ,  H01C7/00 ,  B32B31/00 ,  B32B33/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种在用于RRAM装置的铱基材上涂敷PCMO薄膜的方法，包括：制备基材；在基材上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积铱层；在铱层上旋涂PCMO层；以三步烘焙方法烘焙PCMO层和基材；在RTP室中后烘退火该基材和PCMO层；重复所述的旋涂、烘焙和退火步骤直到PCMO层具有需要的厚度；退火基材和PCMO层；沉积顶电极；和完成RRAM装置。

公开(公告)号：CN1444282A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03106095.1

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  李廷凯 ,  张风燕 ,  庄维佛

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/28291 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种多晶存储结构，其包含：被覆盖提供在基质上的多晶存储层，该多晶存储层具有在临近的微晶之间形成间隙的结晶晶粒间界；和至少部分地位于间隙中的第一绝缘材料。

公开(公告)号：CN1437241A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03104234.1

申请日：2003-02-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  许胜籘

IPC: H01L21/70 ,  H01C7/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  Y10S502/525

Abstract: 一种可变电阻器件的制造方法，其包括：制备硅衬底；在衬底上形成硅氧化物层，在硅氧化物层上沉积第一个金属层，其中，第一个金属层的金属选自铂和铱，在第一个金属层上形成钙钛矿金属氧化物薄膜，在钙钛矿金属氧化物薄膜上沉积第二个金属层，其中，第二个金属层的金属选自铂和铱，将在沉积第二个金属层的步骤中得到的结构在约400℃－700℃下退火约5分钟至3小时，然后改变第一个金属层和第二个金属层之间的电阻。